Si-Ge系量子ドットの単一光子発生に向けた発光メカニズムの解明

阐明 Si-Ge 量子点中单光子产生的发射机制

• 批准号: 20J23544
• 负责人: 藤森 俊太郎
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-24 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20J23544/
• 关键词: Si量子ドット; 単一光子; 発光デバイス

本研究の目的は、高密度集積構造からの発光に実績のあるGeコアSi量子ドットにおいて、単一光子源への応用可能性を示すために、形成過程を精密制御した単一量子ドットを形成し、それらの発光特性を定量するとともに、単一光子発生の観測をすることである。本年度は、単一のGeコアSi量子ドットからの発光の測定を目的として、前年度に引き続き発光効率の向上に取り組むとともにGeコアSi量子ドットの低密度形成と超伝導ナノワイヤ単一光子検出器を用いた測定系の設計を行った。単一光子発生を測定するためには測定における損失を最小限に抑える必要があり、測定系の検討に注力した。まず、試料と光ファイバのカップリングには基板上に光ファイバを直接接触させる方法を採用した。この方法で単一のGeコアSi量子ドットを測定するためには量子ドットの面密度を制御する必要があるが、GeコアSi量子ドットは基板上に非常に高い面密度で形成される。そこでGeコアSi量子ドットの作製において初期反応核の面密度を減らすために、より減圧条件で化学気相堆積を行うことにより比較的低密度で形成し、格子点パターンを残してエッチングする作製法を試みた。その結果、低密度形成が可能であることと、GeコアSi量子ドットがエッチングできることを明らかにし、目的とする面密度で形成が可能であることが示唆された。同時に測定系の構築に必要な光学系の調査及び選定を進め、光学素子間の損失を抑えるために光ファイバによるカップリングを主とした測定系の設計を行った。本研究は、単一GeコアSi量子ドットの形成を精密制御し、それらの発光特性を定量することを目的として、発光効率の改善と測定の可能性を示した。今後は、設計した測定系により単一GeコアSi量子ドットの測定を行うことで測定法の確立と単一光子発生の観測が期待できる。

In this study, the purpose of this study is to fabricate high-density optical devices, high-density optical devices, Ge quantum devices, photon sources, photons, and photons. This year, this year, the Ge Si quantum optical emission photometry is used to determine the optical performance of the target, and the previous year, the optical emission rate of the previous year is higher than that of the previous year. This year, the Ge quantum optical emission is low-density generation. The optical output device uses the optical measurement system to set the device line. One-photon photon measurement is used to determine the minimum limit of pressure loss, which is necessary, and the measurement system is required. Light, material, light, light, etc., direct contact methods. The Ge method is used to determine the surface density of the Si substrates with very high area density on the substrate. In the early stage, the nuclear area density, the area density, the chemical phase, the chemical phase, the low density, the lattice, the lattice, the residual, the surface density, the area density, the surface density, the surface density, the temperature, the surface density, the surface density, the The results show that the formation of low density may cause significant changes, that of Ge, the formation of low density, low density, low density. At the same time, it is necessary for the Department of Optics to perform and select advanced and inter-sub-optical loss suppressants. In this study, a GE Si quantum sensor is used to form a precision control system, a quantitative measurement of optical properties, a quantitative measurement of optical properties, an improvement in optical efficiency, and an indication of the possibility of measurement. In the future, the design and measurement system is based on the measurement of the Si quantum circuit. The measurement method makes sure that one photon is generated.