Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
批准号:
20K04187
负责人:
ikenaga noriaki
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31
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メッシュを用いた PBII&D 法におけるプラズマ計測
使用网格进行 PBII&D 方法中的等离子体测量
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[柳 才智, 池永 訓昭]
通讯作者:
池永 訓昭
メッシュを用いた PBII&D 法における DLC 膜厚均一性の改善
使用网格改善 PBII&D 方法中 DLC 膜厚均匀性
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[浦 尚輝, 池永 訓昭]
通讯作者:
池永 訓昭
Fe2O3を用いた高温環境用感湿材料の検討
Fe2O3高温环境湿敏材料的研究
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[内藤光佑, 佐々木恭平, 池永訓昭]
通讯作者:
池永訓昭
ステンレスメッシュを用いたプラズマの高密度化
使用不锈钢网的高密度等离子体
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[佐藤 凌, 李 渊, 田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典]
通讯作者:
田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典
Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film
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批准号:16K05991
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.16万
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财政年份:2016
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负责人:ikenaga noriaki
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依托单位: