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Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction

Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
高精度Si掺杂Si DLC薄膜沉积技术的开发及低摩擦机理的阐明
批准号:
20K04187
负责人:
ikenaga noriaki
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31

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メッシュを用いた PBII&D 法におけるプラズマ計測
使用网格进行 PBII&D 方法中的等离子体测量
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [柳 才智, 池永 訓昭]
通讯作者: 池永 訓昭
メッシュを用いた PBII&D 法における DLC 膜厚均一性の改善
使用网格改善 PBII&D 方法中 DLC 膜厚均匀性
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [浦 尚輝, 池永 訓昭]
通讯作者: 池永 訓昭
Fe2O3を用いた高温環境用感湿材料の検討
Fe2O3高温环境湿敏材料的研究
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [内藤光佑, 佐々木恭平, 池永訓昭]
通讯作者: 池永訓昭
ステンレスメッシュを用いたプラズマの高密度化
使用不锈钢网的高密度等离子体
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [佐藤 凌, 李 渊, 田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典]
通讯作者: 田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典
Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film
  • 批准号:
    16K05991
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $3.16万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    ikenaga noriaki
  • 依托单位: