Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film

阐明Si掺杂DLC薄膜的高耐热机理,用于设计DLC薄膜的功能

基本信息

  • 批准号:
    16K05991
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Heat-resistance Evaluation of Si Doped DLC Thin Films
Si掺杂DLC薄膜的耐热性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noriaki Ikenaga ;Ryo Nakazawa ;Atunori Akizawa ;Kazunari Ishii ;Naoki Osawa
  • 通讯作者:
    Naoki Osawa
炭素系薄膜を用いた赤外光学窓材料用保護膜の検討
碳基薄膜红外光学窗口材料保护膜的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noriaki Ikenaga ;Yuki Hoshino ;Naoki Osawa;池永訓昭;石井一成,池永訓昭
  • 通讯作者:
    石井一成,池永訓昭
Si添加DLC膜の耐熱性発現メカニズムに関する研究
加Si DLC薄膜耐热发展机理研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    秋澤 充悟;中澤 諒;池永 訓昭
  • 通讯作者:
    池永 訓昭
Effect of TiO2 interlayer in PZT thin film for improving crystal growth
PZT薄膜中TiO2中间层促进晶体生长的作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noriaki Ikenaga ;Yuki Hoshino ;Naoki Osawa
  • 通讯作者:
    Naoki Osawa
Ion energy in plasma doping process
等离子体掺杂过程中的离子能量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Sakudo;N. Ikenaga
  • 通讯作者:
    N. Ikenaga
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
高精度Si掺杂Si DLC薄膜沉积技术的开发及低摩擦机理的阐明
  • 批准号:
    20K04187
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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