Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film
Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film
阐明Si掺杂DLC薄膜的高耐热机理，用于设计DLC薄膜的功能
批准号：
16K05991
负责人：
ikenaga noriaki
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Heat-resistance Evaluation of Si Doped DLC Thin Films
Si掺杂DLC薄膜的耐热性评价
Si掺杂DLC薄膜的耐热性评价
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriaki Ikenaga , Ryo Nakazawa , Atunori Akizawa , Kazunari Ishii , Naoki Osawa]
通讯作者：
Naoki Osawa
炭素系薄膜を用いた赤外光学窓材料用保護膜の検討
碳基薄膜红外光学窗口材料保护膜的研究
碳基薄膜红外光学窗口材料保护膜的研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriaki Ikenaga , Yuki Hoshino , Naoki Osawa, 池永訓昭, 石井一成，池永訓昭]
通讯作者：
石井一成，池永訓昭
Si添加DLC膜の耐熱性発現メカニズムに関する研究
加Si DLC薄膜耐热发展机理研究
加Si DLC薄膜耐热发展机理研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[秋澤 充悟, 中澤 諒, 池永 訓昭]
通讯作者：
池永 訓昭
Effect of TiO2 interlayer in PZT thin film for improving crystal growth
PZT薄膜中TiO2中间层促进晶体生长的作用
PZT薄膜中TiO2中间层促进晶体生长的作用
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriaki Ikenaga , Yuki Hoshino , Naoki Osawa]
通讯作者：
Naoki Osawa
Ion energy in plasma doping process
等离子体掺杂过程中的离子能量
等离子体掺杂过程中的离子能量
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Sakudo, N. Ikenaga]
通讯作者：
N. Ikenaga
共 11 条
Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
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批准号：20K04187
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：ikenaga noriaki
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依托单位：