Analysis of melt flow process in melt transfer printing of organic semiconductors

有机半导体熔融转印中熔体流动过程分析

• 批准号: 20K04576
• 负责人: Ichikawa Musubu
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Shinshu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04576/
• 关键词: 有機半導体; 成膜法; 無溶剤; 非真空; 薄膜作製法; メニスカス力; 無溶媒; 有機薄膜トランジスタ; 溶融; 転写; 成膜技術; 表面張力; 有機トランジスタ

项目成果

Experimental Investigation of naphthalene based organic thin-film transistors by combining a polymer dielectric and a carrier injection layer

聚合物电介质与载流子注入层相结合的萘基有机薄膜晶体管的实验研究

• DOI: 10.1088/1361-6463/ab8b04
• 发表时间: 2020
• 期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
• 作者: Ohyama Atsuro;Hirata Naoki;Oguma Naomi;Ichikawa Musubu
• 通讯作者: Ichikawa Musubu

非対称型NTCDI誘導体の溶融転写による薄膜形成とトランジスタ特性

不对称NTCDI衍生物的熔融转移薄膜形成和晶体管特性

• 发表时间: 2021
• 作者: 坂本 龍幸;阿知葉 駿介;市川 結
• 通讯作者: 市川 結

ピリジル置換ナフタレンジイミド誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ

使用吡啶基取代萘二酰亚胺衍生物的有机薄膜晶体管

• 发表时间: 2021
• 作者: 平良 陸;杉原 真人;平田 直毅;市川 結
• 通讯作者: 市川 結

Optimization of thin-film formation of naphthalene tetracarboxylic diimide derivatives with head and tail structure and application to transistors

头尾结构萘四甲酰亚胺衍生物薄膜形成优化及其在晶体管中的应用

• 发表时间: 2023
• 作者: Naoki Fukuda;Shunsuke Achiha;Musubu Ichikawa
• 通讯作者: Musubu Ichikawa

頭尾型ナフタレンジイミド誘導体の真空蒸着による薄膜形成の最適化とトランジスタへの応用

首尾萘二酰亚胺衍生物真空沉积薄膜形成优化及其在晶体管中的应用

• 发表时间: 2022
• 作者: 福田 尚輝;阿知葉 駿介;市川 結
• 通讯作者: 市川 結