Analysis of melt flow process in melt transfer printing of organic semiconductors
Analysis of melt flow process in melt transfer printing of organic semiconductors
有机半导体熔融转印中熔体流动过程分析
批准号：
20K04576
负责人：
Ichikawa Musubu
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Experimental Investigation of naphthalene based organic thin-film transistors by combining a polymer dielectric and a carrier injection layer
聚合物电介质与载流子注入层相结合的萘基有机薄膜晶体管的实验研究
聚合物电介质与载流子注入层相结合的萘基有机薄膜晶体管的实验研究
DOI：
10.1088/1361-6463/ab8b04
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
[Ohyama Atsuro, Hirata Naoki, Oguma Naomi, Ichikawa Musubu]
通讯作者：
Ichikawa Musubu
非対称型NTCDI誘導体の溶融転写による薄膜形成とトランジスタ特性
不对称NTCDI衍生物的熔融转移薄膜形成和晶体管特性
不对称NTCDI衍生物的熔融转移薄膜形成和晶体管特性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坂本 龍幸, 阿知葉 駿介, 市川 結]
通讯作者：
市川 結
ピリジル置換ナフタレンジイミド誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ
使用吡啶基取代萘二酰亚胺衍生物的有机薄膜晶体管
使用吡啶基取代萘二酰亚胺衍生物的有机薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[平良 陸, 杉原 真人, 平田 直毅, 市川 結]
通讯作者：
市川 結
Optimization of thin-film formation of naphthalene tetracarboxylic diimide derivatives with head and tail structure and application to transistors
头尾结构萘四甲酰亚胺衍生物薄膜形成优化及其在晶体管中的应用
头尾结构萘四甲酰亚胺衍生物薄膜形成优化及其在晶体管中的应用
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoki Fukuda, Shunsuke Achiha, Musubu Ichikawa]
通讯作者：
Musubu Ichikawa
頭尾型ナフタレンジイミド誘導体の真空蒸着による薄膜形成の最適化とトランジスタへの応用
首尾萘二酰亚胺衍生物真空沉积薄膜形成优化及其在晶体管中的应用
首尾萘二酰亚胺衍生物真空沉积薄膜形成优化及其在晶体管中的应用
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福田 尚輝, 阿知葉 駿介, 市川 結]
通讯作者：
市川 結
共 6 条
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