有機薄膜のミスト成膜法の開発
有機薄膜のミスト成膜法の開発
批准号:
19656192
负责人:
藤田 静雄
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
中文摘要
本研究は、有機薄膜の成膜にミスト法を適用し、成膜の低コスト化を図ることで有機デバイスの広い応用を目指すものである。本年度に得られた成果を以下に示す。1. 有機薄膜の例として導電性薄膜として知られているPEDOT-PSSをとりあげ、ミスト法による成膜を試みた。水を溶媒として用い、超音波の周波数を2.4MHzとすることで成膜が可能なことを実証した。成膜時間による膜厚の制御が可能で、およそ10nm/minでの成膜速度となった。PEDOT-PSSの導電率はスピンコートで得られたものとほぼ同等である。また成膜時にメタルマスクを用いて、リソグラフィーを用いることなくパターニングが可能なことを示した。これはデバイスプロセスの簡素化という点で重要な成果である。2. PEDOT-PSSとZnMgOおよびInGaO薄膜の積層により良好なショットキ接触を得ることができた。これを用いる紫外検出器を作製して、10%程度の量子効率を持つ紫外検出器の作製に成功した。3. ミスト法による水溶性有機蛍光物質の成膜を試み、発光を得ることができた。このことからも、ミスト法の有用性が確認できた。4. アルコール等の有機溶媒を用いて高分子系有機薄膜の成膜を試みた。溶媒の種類や水との混合比により霧化に適切な条件があることがわかり、限定された条件でのみ霧化・成膜が可能であった。以上、ミスト法によって有機薄膜の成膜が可能なことが明らかになり、成膜プロセスの低コスト化に寄与する成果が得られた。
英文摘要
本研究は、有機薄膜の成膜にミスト法を適用し、成膜の低コスト化を図ることで有機デバイスの広い応用を目指すものである。本年度に得られた成果を以下に示す。1. 有機薄膜の例として導電性薄膜として知られているPEDOT-PSSをとりあげ、ミスト法による成膜を試みた。水を溶媒として用い、超音波の周波数を2.4MHzとすることで成膜が可能なことを実証した。成膜時間による膜厚の制御が可能で、およそ10nm/minでの成膜速度となった。PEDOT-PSSの導電率はスピンコートで得られたものとほぼ同等である。また成膜時にメタルマスクを用いて、リソグラフィーを用いることなくパターニングが可能なことを示した。これはデバイスプロセスの簡素化という点で重要な成果である。2. PEDOT-PSSとZnMgOおよびInGaO薄膜の積層により良好なショットキ接触を得ることができた。これを用いる紫外検出器を作製して、10%程度の量子効率を持つ紫外検出器の作製に成功した。3. ミスト法による水溶性有機蛍光物質の成膜を試み、発光を得ることができた。このことからも、ミスト法の有用性が確認できた。4. アルコール等の有機溶媒を用いて高分子系有機薄膜の成膜を試みた。溶媒の種類や水との混合比により霧化に適切な条件があることがわかり、限定された条件でのみ霧化・成膜が可能であった。以上、ミスト法によって有機薄膜の成膜が可能なことが明らかになり、成膜プロセスの低コスト化に寄与する成果が得られた。
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PEDOT : PSSとミストCVD法で成膜したZnMgOによるショットキフォトディテクタの作製
PEDOT:使用 PSS 和雾气 CVD 法沉积的 ZnMgO 制造肖特基光电探测器
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuri Noma, Jai Hyuk Choi, Sven Stauss, Takaaki Tomai, and Kazuo Terashima, 亀山直季]
通讯作者:
亀山直季
ミストデポジション法による酸イヒ物薄膜・有機薄膜の成膜
雾沉积法形成酸性薄膜和有机薄膜
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[野間由里, 崔 宰赫, Sven Stauss, 苫居高明, 寺嶋和夫, 西中浩之]
通讯作者:
西中浩之
ミストデポジション技術による深紫外線センサーの作製〜リソグラフィーレス有機ポリマーのパターニングとアモルファスIGO〜
使用雾沉积技术制造深紫外传感器 - 无光刻有机聚合物图案化和非晶态 IGO -
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuri Noma, Jai Hyuk Choi, Sven Stauss, Takaaki Tomai, and Kazuo Terashima, 亀山直季, 西中浩之]
通讯作者:
西中浩之
ミストCVD法による多元系酸化物薄膜の作製
雾气CVD法制备多元氧化物薄膜
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuri Noma, Jai Hyuk Choi, Sven Stauss, Takaaki Tomai, and Kazuo Terashima, 亀山直季, 西中浩之, 藤田静雄]
通讯作者:
藤田静雄
酸化亜鉛系半導体のナノ構造制御による新物性の創製
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批准号:05F05329
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
直接遷移型多色発光材料の研究
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批准号:12875062
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2000
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
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批准号:11875005
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1999
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
準格子整合系異族半導体新ヘテロ構造の物性とデバイス応用に関する研究
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批准号:05805029
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
イオン性の異なる準格子整合系半導体多層構造・ヘテロ界面の物性に関する研究
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批准号:04805030
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
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批准号:03239204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
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批准号:03855057
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
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批准号:02855069
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
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批准号:02253208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
光制御による半導体変調構造の作製とその物性に関する研究
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批准号:01750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1989
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
(II,II)VI族ワイドギャップ混晶半導体の組成制御に関する研究
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批准号:63750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
非晶質シリコン窒化膜の原子的構造評価に関する研究
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批准号:62750261
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の応用によるMOSトランジスタ特性安定化に関する研究
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批准号:61750277
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の作製と高品質 MOS トランジスタへの応用に関する研究
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批准号:60750274
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V族半導体表面の直接窒化と MISFET への応用に関する研究
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批准号:59750015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III‐V族半導体表面の直接窒化とMISFETへの応用に関する研究
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批准号:58750012
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.62万
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财政年份:1983
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负责人:藤田 静雄
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依托单位: