Realization of low-magnetostriction and low-magnetic noise in Heusler alloy based giant magnetoresistive sensors

Heusler合金巨磁阻传感器低磁致伸缩和低磁噪声的实现

基本信息

  • 批准号:
    20K04588
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
The compositional dependence of NiFeCr seed layer on giant magnetoresistance of [FeCoNi/Cu] multilayers
NiFeCr籽晶层对[FeCoNi/Cu]多层巨磁阻的成分依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    P. D. Kulkarni;T. Nakatani;Y. Sakuraba
  • 通讯作者:
    Y. Sakuraba
FeCoNi/Cu多層膜GMRにおけるNiFeCr下地層組成の効果
NiFeCr底层成分对FeCoNi/Cu多层膜GMR的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    沓間弘樹;C.W. Sandbo Chang;武田正典;寺井弘高;浦出芳郎;玉手修平;竹田悠大河;中村泰信;Prabhanjan D. Kulkarni,中谷友也,Zehao Li, 佐々木泰祐,桜庭裕弥
  • 通讯作者:
    Prabhanjan D. Kulkarni,中谷友也,Zehao Li, 佐々木泰祐,桜庭裕弥
AC magnetic field modulation on tunnel magnetoresistance sensors with even-function resistance-field response
具有偶函数电阻场响应的隧道磁阻传感器的交流磁场调制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中谷友也;首藤浩文;Prabhanjan D. Kulkarni;岩崎仁志;桜庭裕弥
  • 通讯作者:
    桜庭裕弥
磁気センサ
磁传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
TMR素子を用いた磁気センサ、並びにこれを用いたリニアエンコーダ用 磁気センサ又は磁気式ロータリーエンコーダ
使用TMR元件的磁传感器以及使用该元件的线性编码器或磁性旋转编码器用磁传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

NAKATANI Tomoya其他文献

NAKATANI Tomoya的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('NAKATANI Tomoya', 18)}}的其他基金

Giant magneto-resistance at Heusler alloy / conductive oxide junction and application to magnetic sensors
Heusler合金/导电氧化物结处的巨磁阻及其在磁传感器中的应用
  • 批准号:
    18K13793
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

相似海外基金

機能性分子を用いた新規なナノスケール磁気抵抗デバイスの創製
使用功能分子创建新型纳米级磁阻器件
  • 批准号:
    24KJ1953
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁気接合における伝導機構の電子論的解明と高性能磁気抵抗素子のデザイン・機能実証
磁性结导电机制的电子阐明以及高性能磁阻元件的设计和功能演示
  • 批准号:
    24K01346
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
磁気抵抗メモリ応用に向けた酸化物界面を用いた室温におけるスピン流電流変換の実証
使用氧化物界面在磁阻存储器应用中演示室温下的自旋电流转换
  • 批准号:
    24K17303
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高スピン偏極フェリ磁性ホイスラー合金による超高速光駆動磁気抵抗素子の創製
使用高自旋极化亚铁磁赫斯勒合金创建超快光驱动磁阻元件
  • 批准号:
    24K01335
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非相反磁気抵抗を増強する散乱機構の解明
阐明增强不可逆磁阻的散射机制
  • 批准号:
    22KJ0246
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超高速電子移動度と超巨大磁気抵抗を示す非磁性半金属の開拓
开发具有超快电子迁移率和超大磁阻的非磁性准金属
  • 批准号:
    21K18181
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
トポロジカル絶縁体を用いる超低消費電力磁気抵抗メモリの創製
使用拓扑绝缘体创建超低功耗磁阻存储器
  • 批准号:
    20F20050
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
鉄フタロシアニン系分子性伝導体が示す巨大磁気抵抗効果を制御する分子設計の確立
建立控制铁酞菁基分子导体巨磁阻效应的分子设计
  • 批准号:
    19H02691
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
原子層物質スペーサーによる面直電流磁気抵抗素子の高特性化の研究
利用原子层材料隔垫改善垂直电流磁阻元件特性的研究
  • 批准号:
    17H07376
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
新規スピンギャップレス半導体を用いたトンネル磁気抵抗素子とその電界効果
新型自旋无隙半导体隧道磁阻元件及其电场效应
  • 批准号:
    17F17063
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了