Study of boron-implanted resistive crystal layers to enhance avalanche ruggedness of ultra-low loss GaN power devices
Study of boron-implanted resistive crystal layers to enhance avalanche ruggedness of ultra-low loss GaN power devices
研究硼注入电阻晶体层以增强超低损耗 GaN 功率器件的雪崩耐用性
批准号：
20K04590
负责人：
Miura Yoshinao
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer
通过将硼注入 p 型层进行电导率控制的垂直 GaN 功率器件的新 JTE 技术
通过将硼注入 p 型层进行电导率控制的垂直 GaN 功率器件的新 JTE 技术
DOI：
10.23919/ispsd50666.2021.9452219
发表时间：
2022
期刊：
Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
[Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke]
通讯作者：
Harada Shinsuke
Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation
使用多区硼注入晶圆级制造具有渐变 JTE 结构的垂直 GaN p-n 二极管
使用多区硼注入晶圆级制造具有渐变 JTE 结构的垂直 GaN p-n 二极管
DOI：
10.1109/ispsd49238.2022.9813654
发表时间：
2022
期刊：
Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
[Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke]
通讯作者：
Harada Shinsuke
硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計
采用硼离子注入控制电导率的 p 型 GaN 外延层的垂直器件 JTE 结构设计
采用硼离子注入控制电导率的 p 型 GaN 外延层的垂直器件 JTE 结构设计
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三浦喜直, 平井悠久, 中島昭, 原田信介]
通讯作者：
原田信介
半導体装置および半導体装置の製造方法
半导体装置及半导体装置的制造方法
半导体装置及半导体装置的制造方法
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金