Study of boron-implanted resistive crystal layers to enhance avalanche ruggedness of ultra-low loss GaN power devices

研究硼注入电阻晶体层以增强超低损耗 GaN 功率器件的雪崩耐用性

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A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer
通过将硼注入 p 型层进行电导率控制的垂直 GaN 功率器件的新 JTE 技术
Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation
使用多区硼注入晶圆级制造具有渐变 JTE 结构的垂直 GaN p-n 二极管
硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計
采用硼离子注入控制电导率的 p 型 GaN 外延层的垂直器件 JTE 结构设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    三浦喜直;平井悠久;中島昭;原田信介
  • 通讯作者：
    原田信介
半導体装置および半導体装置の製造方法
半导体装置及半导体装置的制造方法
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
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  • 通讯作者：
    室谷英彰，田邊凌平，久永桂典，濱田晟，別府寛太，前田哲利，M. Ajmal Khan，定昌史，平山秀樹，山田陽一
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  • 通讯作者：
    山坂健登，小山真司

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