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Device simulation of phonon heat transport

声子热传输的装置模拟

基本信息

批准号：
20K04611
负责人：
Hattori Junichi
金额：
$ 2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Technology computer-aided design simulation of phonon heat transport in semiconductor devices

半导体器件中声子热传输技术计算机辅助设计模拟

DOI：
10.35848/1347-4065/abe3d4
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Hattori Junichi;Ikegami Tsutomu;Fukuda Koichi
通讯作者：
Fukuda Koichi

ひずみシリコン量子細線の熱輸送特性評価における熱浴寸法の影響

加热浴尺寸对应变硅量子线传热性能评估的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fukunaga Masatoshi;Kawai Tadashi;Enokihara Akira;服部　淳一
通讯作者：
服部　淳一

Temperature Effects on Static Characteristics of Complementary Field Effect Transistors with Si and Ge Nanosheets

温度对硅、锗纳米片互补场效应晶体管静态特性的影响

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Junichi Hattori;Koichi Fukuda;Tsutomu Ikegami;and Wen Hsin Chang
通讯作者：
and Wen Hsin Chang

MOSFETにおける音響および光学フォノン輸送のTCADシミュレーション

MOSFET 中声学和光学声子传输的 TCAD 仿真

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
服部　淳一;池上　努;福田　浩一
通讯作者：
福田　浩一

Temperature rise effects on static characteristics of complementary FETs with Si and Ge nanosheets

温升对 Si 和 Ge 纳米片互补 FET 静态特性的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/acae61
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Junichi Hattori;Koichi Fukuda;Tsutomu Ikegami;and Wen Hsin Chang
通讯作者：
and Wen Hsin Chang

DOI：
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