Device simulation of phonon heat transport
Device simulation of phonon heat transport
声子热传输的装置模拟
批准号：
20K04611
负责人：
Hattori Junichi
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Technology computer-aided design simulation of phonon heat transport in semiconductor devices
半导体器件中声子热传输技术计算机辅助设计模拟
半导体器件中声子热传输技术计算机辅助设计模拟
DOI：
10.35848/1347-4065/abe3d4
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Hattori Junichi, Ikegami Tsutomu, Fukuda Koichi]
通讯作者：
Fukuda Koichi
ひずみシリコン量子細線の熱輸送特性評価における熱浴寸法の影響
加热浴尺寸对应变硅量子线传热性能评估的影响
加热浴尺寸对应变硅量子线传热性能评估的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fukunaga Masatoshi, Kawai Tadashi, Enokihara Akira, 服部 淳一]
通讯作者：
服部 淳一
Temperature Effects on Static Characteristics of Complementary Field Effect Transistors with Si and Ge Nanosheets
温度对硅、锗纳米片互补场效应晶体管静态特性的影响
温度对硅、锗纳米片互补场效应晶体管静态特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tsutomu Ikegami, and Wen Hsin Chang]
通讯作者：
and Wen Hsin Chang
MOSFETにおける音響および光学フォノン輸送のTCADシミュレーション
MOSFET 中声学和光学声子传输的 TCAD 仿真
MOSFET 中声学和光学声子传输的 TCAD 仿真
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服部 淳一, 池上 努, 福田 浩一]
通讯作者：
福田 浩一
Temperature rise effects on static characteristics of complementary FETs with Si and Ge nanosheets
温升对 Si 和 Ge 纳米片互补 FET 静态特性的影响
温升对 Si 和 Ge 纳米片互补 FET 静态特性的影响
DOI：
10.35848/1347-4065/acae61
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tsutomu Ikegami, and Wen Hsin Chang]
通讯作者：
and Wen Hsin Chang
共 8 条
Atomistic study of strain effects on phonon thermal transport in nanowires
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批准号：16K18082
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2016
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负责人：Hattori Junichi
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依托单位：
海外基金