Formation of sprayed semiconducting nano-particle layers and their device applications

喷涂半导体纳米颗粒层的形成及其器件应用

基本信息

  • 批准号:
    20K05327
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

薄膜トランジスターは、通常、エピタキシャル層、多結晶層、アモルファス層をチャネル層として用いるが、本研究では微粒子層を使うことを目的としている。これは、プロセスの汎用性および低コスト性を著しく進め、大面積化、基板選択肢の拡大、さらには新しい動作原理を持つデバイスの開拓など、幅広い効果が期待されるためである。2022年度の主な研究実績は、n-ZnOナノ粒子層の伝導特性の向上について他技術により形成されたZnOナノ粒子を用いた試験と、ZnOナノ粒子およびグラフェンの異種材料混合調整の試験である。前者については2種類の粒子を用意した。一つはPhysical Vapor Synthesis (PVS)法によるものでN原子の混入が無いもの、もう一つは化粧品グレードであるが安価で大量使用に向いているものである。いずれも商用品を購入または試料提供を受けた。これらの粒子を用い、これまで取り組んできたプロセスでガラス基板上に微粒子層を形成可能な事を示した。今後、構造的、表面科学的および電気的特性評価を進めていく。後者について、昨年取り組んだカーボンナノチューブの混合の条件が不十分で系統立った議論は出来ていないが、ZnOの粒径に対してチューブ長が長すぎ、ZnO粒子層は低抵抗化してもそれはZnOの特性では無くカーボンナノチューブの特性となることが推測できたため、今回はグラフェンを混合させて特性評価を行った。その結果、グラフェンの混合によっても抵抗値は下がることが分かった。今年度は条件の最適化には至らなかったが、混合比や撹拌条件によっては適切な抵抗値を得られることが予想される。
Film ト ラ ン ジ ス タ ー は, usually, エ ピ タ キ シ ャ ル layer, crystallization, ア モ ル フ ァ ス layer を チ ャ ネ ル layer と し て in い る が, this study で は particles layer を make う こ と を purpose と し て い る. こ れ は, プ ロ セ ス の domestic sex お よ び low コ ス ト sex を the し く め, large area, the substrate sentaku limb の company, big, さ ら に は new し い action principle を the つ デ バ イ ス の pioneering な ど, hiroo picture い unseen fruit が expect さ れ る た め で あ る. 2022 の main な research be performance は, n - ZnO ナ ノ particle layer の 伝 guide features の upward に つ い て he technology に よ り form さ れ た ZnO ナ を ノ particles with い た test と, ZnO ナ ノ particle お よ び グ ラ フ ェ ン の mix adjustment の dissimilar materials test で あ る. The former に に に て て 2 kinds of particle を intention た. A つ は Physical Vapor short method (PVS) に よ る も の で の N atoms with no い が も の, も う a つ は cosmetics グ レ ー ド で あ る が Ann 価 で extensive use of に to い て い る も の で あ る. Youdaoplaceholder0 ずれ commercial supplies を purchase また sample for を receive けた. こ れ ら の particle を い, こ れ ま で group take り ん で き た プ ロ セ ス で ガ ラ ス substrate に を particles layer formation may な matter を し た. In the future, the characteristics of および electricity in structural and surface science will be evaluated 価を into めて く く. The latter に つ い て in yesterday, took り group ん だ カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ の mixed の が not very で system made っ た comment は out て い な い が, ZnO の size に し seaborne て チ ュ ー ブ が long す ぎ, ZnO particles layer は low resistance し て も そ れ は ZnO の features で は no く カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ の features と な る こ と が で Youdaoplaceholder0 たため, this time the グラフェ グラフェ を を を mixed させて feature evaluation 価を is った. The そ そ result and the グラフェ <e:1> <s:1> are mixed with the によって <s:1> resistance value, and the がる とが とが score is った った. Our の は conditions optimization に は to ら な か っ た が, mixing ratio や 撹 mixing conditions に よ っ て は appropriate な resist numerical を ら れ る こ と が to think さ れ る.

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
半導体ナノ粒子層のTFT応用
半导体纳米颗粒层的TFT应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H Ishida;R Arafune;N Takagi;青島英樹,重田出,山内徹,鹿又武,梅津理恵,廣井 政彦;T. Yoshida
  • 通讯作者:
    T. Yoshida
Effects of Ambience on Thermal-Diffusion Type Ga-doping Process for ZnO Nanoparticles
  • DOI:
    10.3390/coatings12010057
  • 发表时间:
    2022-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Islam,Md Maruful;Yoshida,Toshiyuki;Fujita,Yasuhisa
  • 通讯作者:
    Fujita,Yasuhisa
Improved current transportation ability of ZnO nanoparticle-based TFTs by diffusion-type Ga-doping
通过扩散型 Ga 掺杂提高 ZnO 纳米粒子基 TFT 的电流传输能力
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Islam Md. Maruful;Toshiyuki Yoshida;and Yasuhisa Fujita
  • 通讯作者:
    and Yasuhisa Fujita
Improvement of current transportation ability of ZnO-nanoparticle-based thin-film-transistors by diffusion-type Ga-doping process
扩散型Ga掺杂工艺提高ZnO纳米颗粒薄膜晶体管的电流传输能力
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Md Maruful Islam;Yoshida Toshiyuki;Fujita Yasuhisa
  • 通讯作者:
    Fujita Yasuhisa
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非接触評価に基づくシリコン表面および極薄絶縁膜/シリコン界面の制御と応用
基于非接触评估的硅表面及超薄绝缘膜/硅界面控制及应用
  • 批准号:
    00J06818
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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