Optical bleaching phenomenon in indirect semiconductors
Optical bleaching phenomenon in indirect semiconductors
间接半导体中的光学漂白现象
批准号：
20K05368
负责人：
JIA Junjun
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Conduction mechanism and Defect/Electronic Structures in Sputtered SnOx thin films
溅射 SnOx 薄膜中的传导机制和缺陷/电子结构
溅射 SnOx 薄膜中的传导机制和缺陷/电子结构
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junjun Jia, Yuzo Shigesato]
通讯作者：
Yuzo Shigesato
InNにおける光誘起ブリーチング現象の機序
InN光致漂白现象的机理
InN光致漂白现象的机理
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[賈軍軍, 八木貴志, 水谷真梨, 山田直臣, 牧本俊樹]
通讯作者：
牧本俊樹
Modelling structural evolution of In2O3-based amorphous films during annealing
模拟 In2O3 基非晶薄膜在退火过程中的结构演化
模拟 In2O3 基非晶薄膜在退火过程中的结构演化
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junjun Jia, Toshihiro Okajima, Yuzo Shigesato]
通讯作者：
Yuzo Shigesato
Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN
揭示 InN 中瞬态透射率和反射率的同时增加
揭示 InN 中瞬态透射率和反射率的同时增加
DOI：
10.1063/5.0114290
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Jia Junjun, Yagi Takashi, Mizutani Mari, Yamada Naoomi, Makimoto Toshiki]
通讯作者：
Makimoto Toshiki
n-type and p-type SnOx thin films deposited by reactive sputtering
反应溅射沉积的 n 型和 p 型 SnOx 薄膜
反应溅射沉积的 n 型和 p 型 SnOx 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Kim, T. Sugane, J. Jia, M. Kashiwagi, Y. Oguchi, and Y. Shigesato]
通讯作者：
and Y. Shigesato
共 10 条
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