フォトリフレタンス分光法による間接遷移型半導体を材料とした超構造半導体の研究

利用光反射光谱研究使用间接跃迁型半导体的超结构半导体

• 批准号: 05750003
• 负责人: 矢口 裕之
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: The University of Tokyo (1994)Tohoku University (1993)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750003/
• 关键词: フォトリフレクタンス; バンド不連続量; ヘテロ界面平坦性; 間接遷移型半導体; シリコン・ゲルマニウム; ガリウム砒素燐; フォトルミネッセンス; 遺伝子導入; 葯; 脂肪酸組成; 耐冷性; トランスジェニック植物

量子井戸レーザや高速トランジスタは半導体のヘテロ構造を利用することによってその特性を引き出しているが、これらのデバイスを設計する上で重要な基本的物性であるヘテロ界面でのバンド不連続量等に関する情報は不可欠である。本研究ではフォトリフレクタンス分光法を用いてこのような基本的物性を間接遷移型半導体について検討し、さらに界面の平坦性についても検討を行った。その結果、1.高速トランジスタへの応用が期待されるゲルマニウム/シリコン・ゲルマニウム界面でのバンド不連続量を明らかにした。そして、バンド不連続量はゲルマニウム組成に対して線形に変化することがわかった。さらに、フォトリフレクタンス・スペクトルの線幅に注目することによって、界面の平坦性について検討を行い、横方向数百Aの範囲では1原子層程度の凹凸が存在することが明らかになった。2.発光材料として用いられるガリウム砒素燐系の中で、広いバンドギャップを有するガリウム燐に近い組成でのヘテロ界面におけるバンド不連続量を明らかにした。フォトリフレクタンスによって明らかになったのはGAMMA点におけるバンド不連続量であるが、この結果に基づいて、最小ギャップを形成しているX点におけるバンド不連続量を導き出し、そのバンドラインアップがtypeIになっていることを明らかにした。このことはフォトルミネッセンス測定による結果からも確かめられた。3.電場変調用の励起光として波長連続可変光源を用いて量子井戸層のみを励起し、量子井戸構造の局所的な情報を得るという新しい手法の検討を行った結果、励起光波長依存性が測定温度によって大きく異なることがわかった。その原因の解明にはより詳細な研究が不可欠である。

The quantum well makes use of the characteristics of the high-speed equipment and the high-speed equipment to introduce the important basic physical properties on the design of the equipment, such as the important physical properties, the interface property, the non-connection capacity and so on. In this study, the basic physical properties of the transfer semiconductors were used in this study. The interface is flat and the interface is flat. The results are as follows: 1. At high speed, we need to know that we are looking forward to the interface. Please do not change the amount of information you need to make sure that you are not in a good shape. The interface is flat, the interface is flat, and the horizontal direction is hundreds of An in the range of 1 atom. The bump exists in the bump. two。 The light material is used in this paper, and the arsenic is used in the system. In the light material, the arsenic is used in the system. In the light material, the light material is used in the system. We need to know that the gamma point is different, that is, we need to know how to measure the output of the computer, we need to know that we are going to be able to measure the output of the computer. We need to know that we are going to be able to measure the output of the typeI point. Please make sure that the results of the test are correct. 3. The electric field equipment uses the excitation light source to connect the optical wave length, the light source is excited by the quantum well generator, and the information obtained by the quantum well engineering bureau has obtained the results of the experiment, the optical wavelength dependence measurement, the temperature measurement, and the optical wave length dependence measurement. The reason for this is to explain the reason why you can't owe it.

项目成果

H.Yaguchi: "Characterization of Ge/SiGe Strained-Barrier Quantum Well Structures Using Photoreflectance Spectroscopy" Physical Review B. (1994)

H.Yaguchi：“利用光反射光谱表征 Ge/SiGe 应变势垒量子阱结构”物理评论 B. (1994)

H.Yaguchi: "Photoreflectance Study of Interface Roughness in Ge/SiGe Strained-Layer Heterostructures" Japanese Journal of Applied Physics. (1994)

H.Yaguchi：“Ge/SiGe 应变层异质结构界面粗糙度的光反射研究”日本应用物理学杂志。

鳥山欽哉: "雄しべに特異的に発現する遺伝子" バイオサイエンスとインダストリー. 51. 33-34 (1993)

Kinya Toriyama：“雄蕊中特异性表达的基因”《生物科学与工业》51. 33-34 (1993)。

Y.Hara: "Determination of band offsets in GaAsP/GaP strained-layer quantum well structures using photoreflectance and photoluminessence spectroscopy" Institute of Physics Conference Series. (1994)

Y.Hara：“利用光反射和光致发光光谱确定 GaAsP/GaP 应变层量子阱结构中的能带偏移”物理研究所会议系列。

鳥山欽哉: "障害型冷害耐性トランスジェニックイネ作出へのアプローチ" 組織培養. 19. 160-163 (1993)

Kinya Toriyama：“一种生产受损的耐寒转基因水稻的方法”组织培养，19. 160-163 (1993)。