Theoretical study of impurity-doped Mg2Si thermoelectric materials using first-principles calculations and machine learning technique
Theoretical study of impurity-doped Mg2Si thermoelectric materials using first-principles calculations and machine learning technique
利用第一性原理计算和机器学习技术进行杂质掺杂Mg2Si热电材料的理论研究
批准号：
20K05681
负责人：
Hirayama Naomi
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Electronic structure tuning of α-SrSi2 by isotropic strain and isoelectronic impurity incorporation: A first-principles study for enhancement of low-temperature thermoelectric performance
通过各向同性应变和等电子杂质掺入调整 α-SrSi2 的电子结构：增强低温热电性能的第一性原理研究
通过各向同性应变和等电子杂质掺入调整 α-SrSi2 的电子结构：增强低温热电性能的第一性原理研究
DOI：
10.1063/5.0063506
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[D. Shiojiri, T. Iida, M. Yamaguchi, N. Hirayama, and Y. Imai]
通讯作者：
and Y. Imai
First-principles study of the structural and thermoelectric properties of Y-doped α-SrSi2
Y掺杂α-SrSi2结构与热电性能的第一性原理研究
Y掺杂α-SrSi2结构与热电性能的第一性原理研究
DOI：
10.35848/1347-4065/ac48d7
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Yamaguchi, D. Shiojiri, T. Iida, N. Hirayama, and Y. Imai]
通讯作者：
and Y. Imai
Investigation of local structures and electronic states of Sb-doped Mg2Si by fluorescence XAFS and HAXPES
通过荧光 XAFS 和 HAXPES 研究 Sb 掺杂 Mg2Si 的局域结构和电子态
通过荧光 XAFS 和 HAXPES 研究 Sb 掺杂 Mg2Si 的局域结构和电子态
DOI：
10.1063/5.0018323
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Kadono Tomoyuki, Hirayama Naomi, Nishio Tadashi, Yamazawa Shingo, Oki Naoto, Takahashi Yoshinobu, Takikawa Natsumi, Yasui Akira, Nitta Kiyofumi, Sekizawa Oki, Tokumura Mako, Takemoto Shoji, Iida Tsutomu, Kotsugi Masato]
通讯作者：
Kotsugi Masato
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田邉 資明, 西林 仁昭, Ryoji Funahashi (editor)]
通讯作者：
Ryoji Funahashi (editor)
Re-evaluation of the electronic structure and thermoelectric properties of narrow-gap semiconducting α-SrSi2: A complementary experimental and first-principles hybrid-functional approach
窄带隙半导体 α-SrSi2 的电子结构和热电性能的重新评估：一种互补的实验和第一原理混合功能方法
窄带隙半导体 α-SrSi2 的电子结构和热电性能的重新评估：一种互补的实验和第一原理混合功能方法
DOI：
10.1063/5.0041670
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Shiojiri Daishi, Iida Tsutomu, Kadono Tomoyuki, Yamaguchi Masato, Kodama Takuya, Yamaguchi Seiya, Takahashi Shinta, Kayama Yuki, Hiratsuka Kota, Imai Motoharu, Hirayama Naomi, Imai Yoji]
通讯作者：
Imai Yoji
共 8 条
Thermoelectric calculation at finite temperature: towards environmentally benign thermoelectric materials
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批准号：17K14922
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2017
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负责人：Hirayama Naomi
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依托单位：
Theoretical study of structural, electronic, and thermoelectric properties of silicide materials
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批准号：26820099
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
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负责人：Hirayama Naomi
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依托单位：
海外基金