Thermoelectric calculation at finite temperature: towards environmentally benign thermoelectric materials

有限温度下的热电计算：走向环境友好的热电材料

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Enhancement of Thermoelectric Performance of N-type Mg2Si by Chemical Pressure of Impurity Dopants
杂质掺杂剂化学压力增强N型Mg2Si热电性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Hirayama;Y. Imai;and N. Hamada
  • 通讯作者：
    and N. Hamada
Substitutional and interstitial impurity p-type doping of thermoelectric Mg2Si: a theoretical study
热电Mg2Si的取代和间隙杂质p型掺杂：理论研究
  • DOI：
    10.1080/14686996.2019.1580537
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Science and Technology of Advanced Materials
  • 影响因子：
    5.5
  • 作者：
    Hirayama Naomi;Iida Tsutomu;Sakamoto Mariko;Nishio Keishi;Hamada Noriaki
  • 通讯作者：
    Hamada Noriaki
Conduction band engineering of Mg2Si by isotropic strain for enhancement of thermoelectric performance: a first-principles study
通过各向同性应变进行 Mg2Si 导带工程以增强热电性能：第一性原理研究
  • DOI：
    10.1063/5.0001857
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    N. Hirayama;Y. Imai;and N. Hamada
  • 通讯作者：
    and N. Hamada
Change of the band structure of Mg2Si induced by interstitial doping with nonmetallic elements
非金属元素间隙掺杂引起Mg2Si能带结构的变化
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab6567
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Y. Imai;N. Hirayama;A. Yamamoto;and K. Takarabe
  • 通讯作者：
    and K. Takarabe
Influence of native defects on structural and electronic properties of magnesium silicide
原生缺陷对硅化镁结构和电子性能的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    N. Hirayama;I. Tsutomu;K. Nishio;Y. Kogo;K. Takarabe;and N. Hamada
  • 通讯作者：
    and N. Hamada
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Hirayama Naomi其他文献

その場灌流培養可能な多層管状構造の構築用デバイスの開発
开发用于构建能够原位灌注培养的多层管状结构的装置
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hirayama Naomi;Iida Tsutomu;Sakamoto Mariko;Nishio Keishi;Hamada Noriaki;木原楽士，小嶋勝，洞出光洋，神山和人，境慎司，前泰志，新井健生
  • 通讯作者：
    木原楽士，小嶋勝，洞出光洋，神山和人，境慎司，前泰志，新井健生
Investigation of local structures and electronic states of Sb-doped Mg2Si by fluorescence XAFS and HAXPES
通过荧光 XAFS 和 HAXPES 研究 Sb 掺杂 Mg2Si 的局域结构和电子态
  • DOI：
    10.1063/5.0018323
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Kadono Tomoyuki;Hirayama Naomi;Nishio Tadashi;Yamazawa Shingo;Oki Naoto;Takahashi Yoshinobu;Takikawa Natsumi;Yasui Akira;Nitta Kiyofumi;Sekizawa Oki;Tokumura Mako;Takemoto Shoji;Iida Tsutomu;Kotsugi Masato
  • 通讯作者：
    Kotsugi Masato
Re-evaluation of the electronic structure and thermoelectric properties of narrow-gap semiconducting α-SrSi2: A complementary experimental and first-principles hybrid-functional approach
窄带隙半导体 α-SrSi2 的电子结构和热电性能的重新评估：一种互补的实验和第一原理混合功能方法
  • DOI：
    10.1063/5.0041670
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Shiojiri Daishi;Iida Tsutomu;Kadono Tomoyuki;Yamaguchi Masato;Kodama Takuya;Yamaguchi Seiya;Takahashi Shinta;Kayama Yuki;Hiratsuka Kota;Imai Motoharu;Hirayama Naomi;Imai Yoji
  • 通讯作者：
    Imai Yoji

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  • 发表时间：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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Theoretical study of impurity-doped Mg2Si thermoelectric materials using first-principles calculations and machine learning technique
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  • 批准号：
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組成傾斜熱電材料の熱起電力向上機構の解明
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  • 批准号：
    24K17519
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.83万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高エントロピー熱電材料の創製と発電・冷却技術への展開
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  • 批准号：
    24K01151
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
環境中に排出される膨大な未利用熱活用：高圧ひずみ加工による環境調和熱電材料の創製
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  • 批准号：
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    24K08071
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.83万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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