2D tunnel FET based on understanding of 2D hetero interface characteristics
2D tunnel FET based on understanding of 2D hetero interface characteristics
基于了解 2D 异质界面特性的 2D 隧道 FET
批准号：
19H00755
负责人：
Kosuke NAGASHIO
金额：
$29.12万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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"High Temperature Retention Study of MoS2/h-BN/MoS2 Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory",
“基于MoS2/h-BN/MoS2异质堆栈的非易失性存储器的高温保持研究”，
“基于MoS2/h-BN/MoS2异质堆栈的非易失性存储器的高温保持研究”，
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio,, 三村秀和, K. Nagashio,, N. Higashitarumizu,, 伊藤旺成，伊藤駿祐，毛利柊太郎，山口豪太，三村秀和, T. Sasaki,]
通讯作者：
T. Sasaki,
"Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p+/n Tunnel FET",
“2D p /n 隧道 FET 中能带对准的选择机制”，
“2D p /n 隧道 FET 中能带对准的选择机制”，
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤旺成，伊藤駿佑，毛利柊太郎，山口豪太, 三村秀和, H. Kawamoto,, 工藤悠佑，山口豪太，山本祥大，内田大悟，三村秀和, K. Nakamura,]
通讯作者：
K. Nakamura,
"All solid-state 2D tunnel FET",
“全固态2D隧道FET”，
“全固态2D隧道FET”，
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山口 豪太, 本山 央人, 大和田 成起, 久保田 雄也, 江川 悟, 竹尾 陽子, 矢橋 牧名, 三村 秀和, K. Nagashio,]
通讯作者：
K. Nagashio,
"完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,
“完整的二维层状异双层石墨烯晶体管”，基于石墨烯的二维材料新技术及应用，
“完整的二维层状异双层石墨烯晶体管”，基于石墨烯的二维材料新技术及应用，
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takehiro Kume, Hirokazu Hashizume, Kentarou Hiraguri, Yusuke Matsuzawa, Yoichi Imamura, Hiroaki Miyashita, Takahiro Saito, Gota Yamaguchi, Yoko Takeo, Yasunori Senba, Hikaru Kishimoto, Haruhiko Ohashi, Hidekazu Mimura, 長汐晃輔,]
通讯作者：
長汐晃輔,
DOI：
10.7567/1882-0786/ab176b
发表时间：
2019-04
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[S. Toyoda;T. Uwanno;T. Taniguchi;Kenji Watanabe;K. Nagashio]
通讯作者：
S. Toyoda;T. Uwanno;T. Taniguchi;Kenji Watanabe;K. Nagashio
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