2D tunnel FET based on understanding of 2D hetero interface characteristics

基于了解 2D 异质界面特性的 2D 隧道 FET

• 批准号: 19H00755
• 负责人: Kosuke NAGASHIO
• 金额: $ 29.12万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00755/
• 关键词: 超低消費電力; トンネル現象; 電界効果トランジスタ; 2次元材料; 超低消費電力デバイス; トンネルトランジスタ; トンネルFET; 2次元層状材料; ヘテロ界面; 低消費電力; 2Dヘテロ界面; MoS2; WSe2; h-BN

项目成果

東京大学 長汐研究室

东京大学长潮实验室

"High Temperature Retention Study of MoS2/h-BN/MoS2 Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory",

“基于MoS2/h-BN/MoS2异质堆栈的非易失性存储器的高温保持研究”，

• 发表时间: 2019
• 作者: T. Uwanno;T. Taniguchi;K. Watanabe;K. Nagashio,;三村秀和;K. Nagashio,;N. Higashitarumizu,;伊藤旺成，伊藤駿祐，毛利柊太郎，山口豪太，三村秀和;T. Sasaki,
• 通讯作者: T. Sasaki,

"Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p+/n Tunnel FET",

“2D p /n 隧道 FET 中能带对准的选择机制”，

• 发表时间: 2019
• 作者: 伊藤旺成，伊藤駿佑，毛利柊太郎，山口豪太;三村秀和;H. Kawamoto,;工藤悠佑，山口豪太，山本祥大，内田大悟，三村秀和;K. Nakamura,
• 通讯作者: K. Nakamura,

"All solid-state 2D tunnel FET",

“全固态2D隧道FET”，

• 发表时间: 2019
• 作者: 山口 豪太;本山 央人;大和田 成起;久保田 雄也;江川 悟;竹尾 陽子;矢橋 牧名;三村 秀和;K. Nagashio,
• 通讯作者: K. Nagashio,

"完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,

“完整的二维层状异双层石墨烯晶体管”，基于石墨烯的二维材料新技术及应用，

• 发表时间: 2020
• 作者: Takehiro Kume;Hirokazu Hashizume;Kentarou Hiraguri;Yusuke Matsuzawa;Yoichi Imamura;Hiroaki Miyashita;Takahiro Saito;Gota Yamaguchi;Yoko Takeo;Yasunori Senba;Hikaru Kishimoto;Haruhiko Ohashi;Hidekazu Mimura;長汐晃輔,
• 通讯作者: 長汐晃輔,