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Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application

Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application
用于功率器件应用的氧化镓和 IV 族半导体之间的直接键合界面的形成
批准号：
19H02182
负责人：
Higashiwaki Masataka
金额：
$11.15万
依托单位：
National Institute of Information and Communications Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02182/
关键词：
酸化ガリウム (Ga2O3)直接接合表面活性化シリコン (Si)シリコンカーバイド (SiC)酸化ガリウムシリコンシリコンカーバイド

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发表时间： 2022
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发表时间： 2022
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影响因子： --
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通讯作者： Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
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通讯作者： 重川 直輝
共 12 条
    Pioneering development of fundamental technologies for fabrication of wide bandgap III-group oxide/nitride heterostructures
    海外基金