Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application

用于功率器件应用的氧化镓和 IV 族半导体之间的直接键合界面的形成

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p-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
表面活化键合制备 p-Si/n-Ga2O3 异质结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;Takahiro Kitada;Naoteru Shigekawa;and Masataka Higashiwaki
  • 通讯作者：
    and Masataka Higashiwaki
Ga2O3 device physics and engineering for power electronics and new directions
Ga2O3器件物理与电力电子工程新方向
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masataka Higashiwaki;Takafumi Kamimura;Sandeep Kumar;Zhenwei Wang;Takahiro Kitada;Jianbo Liang;Naoteru Shigekawa;Hisashi Murakami;and Yoshinao Kumagai
  • 通讯作者：
    and Yoshinao Kumagai
Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties
  • DOI：
    10.1063/5.0080734
  • 发表时间：
    2022-02
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
  • 通讯作者：
    Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価
用拉曼光谱评估Ga2O3肖特基势垒二极管的自热
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    万 澤欣;高月 大輝;林 家弘;梁 剣波;東脇 正高;重川 直輝
  • 通讯作者：
    重川 直輝
Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
  • DOI：
    10.1063/5.0128554
  • 发表时间：
    2023-05
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Zhenwei Wang;T. Kitada;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
  • 通讯作者：
    Zhenwei Wang;T. Kitada;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
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  • 通讯作者：
    遠藤いずみ,左近樹,尾中敬,癸生川陽子,小林憲正,横尾卓哉,三田肇,矢野創
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  • 影响因子：
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  • 通讯作者：
    Jin Sakamoto

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