Pioneering development of fundamental technologies for fabrication of wide bandgap III-group oxide/nitride heterostructures
Pioneering development of fundamental technologies for fabrication of wide bandgap III-group oxide/nitride heterostructures
开创性开发宽带隙III族氧化物/氮化物异质结构的基础技术
批准号：
25289093
负责人：
Higashiwaki Masataka
金额：
$11.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2013.12.061
发表时间：
2014-09-01
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
[Onuma, T., Fujioka, S., Honda, T.]
通讯作者：
Honda, T.
In-situ RF-MBEによるる窒化物構造上AlOx薄膜の結晶成長
原位 RF-MBE 在氮化物结构上晶体生长 AlOx 薄膜
原位 RF-MBE 在氮化物结构上晶体生长 AlOx 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[杉浦 洋平, 本田 徹, 東脇 正高]
通讯作者：
東脇 正高
Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 crystals
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda]
通讯作者：
and T. Honda
Optical anisotropy in beta-Ga2O3 crystals grown by melt-growth methods
熔融生长法生长的 β-Ga2O3 晶体的光学各向异性
熔融生长法生长的 β-Ga2O3 晶体的光学各向异性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki]
通讯作者：
and M. Higashiwaki
β-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性
β-Ga2O3 晶体的透射和反射光谱的偏振依赖性
β-Ga2O3 晶体的透射和反射光谱的偏振依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼 猛儀, 齋藤 伸吾, 佐々木 公平, 増井 建和, 山口 智広, 本田 徹, 東脇 正高]
通讯作者：
東脇 正高
共 35 条
Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application
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批准号：19H02182
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2019
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负责人：Higashiwaki Masataka
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依托单位：
海外基金