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Growth of high-quality alloy semiconductor bulk crystals based on experimental results in space

Growth of high-quality alloy semiconductor bulk crystals based on experimental results in space
基于太空实验结果的高质量合金半导体块状晶体的生长
批准号:
19H02491
负责人:
INATOMI Yuko
金额:
$11.07万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31

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強磁場および微小重力環境における化合物半導体結晶成長
强磁场和微重力环境下化合物半导体晶体生长
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [沖田和也, Jin Xin, 関本敦, 岡野泰則, 稲富裕光, 早川泰弘, 稲富裕光]
通讯作者: 稲富裕光
Growth interface shape optimization and adaptive process control for InGaSb crystal growth under microgravity using machine learning
使用机器学习在微重力下生长界面形状优化和自适应过程控制 InGaSb 晶体生长
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [Rachid Ghritli, Yuko Inatomi, Yasunori Okano]
通讯作者: Yasunori Okano
数値解析を用いたISS内InGaSb結晶成長実験に基づいた拡散係数評価
基于国际空间站内 InGaSb 晶体生长实验的扩散系数评估,采用数值分析
DOI: --
发表时间: 2020
期刊:
影响因子: --
作者: [沖田和也, 関本敦, 岡野泰則, 稲富裕光, 早川泰弘]
通讯作者: 早川泰弘
国際宇宙ステーションを利用した混晶半導体結晶育成に関する数値解析
利用国际空间站对混晶半导体晶体生长进行数值分析
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [岡野泰則, 稲富裕光]
通讯作者: 稲富裕光
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    Crystal orientation dependence of solution growth in InGaSb and InGaAs
    • 批准号:
      22360316
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.81万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      INATOMI Yuko
    • 依托单位:
    Magnetic Property of Undercooled Co Alloy Melt
    • 批准号:
      19360291
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.82万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      INATOMI Yuko
    • 依托单位:
    Heat and Mass Transport in Undercooled Melts of Germanium and Silicon
    • 批准号:
      16360320
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $3.26万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      INATOMI Yuko
    • 依托单位:
    Precise measurement of diffusion coefficient in semiconductor melt under strong magnetic field