Physics and Functions of van der Waals Heterostructures

范德华异质结构的物理和功能

基本信息

  • 批准号:
    19H05602
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 128.63万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-26 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

研究開始時に掲げた[1]対称性の制御、[2]近接効果による電子相制御の2項目に加え、[3]インターカレーションを研究項目に掲げて研究を進めている。非常に残念なことに、共同研究者の宇佐見准教授が2022年3月をもって退職し民間会社に就職したため、[2]の一つのテーマであった酸化物強磁性体(YIG)/単層MoSe2ヘテロ接合に関する研究は継続ができなくなった。これまでの成果は退職直前にPhys. Rev. B105, L121403 (2022)に出版された。一方で、当初予定になかった事項として、東大島野グループとTaSe2における光誘起相転移に関する研究を行い、その成果がNature Physics誌(2021)に出版された。[1]については、21年4月にScience誌に単層MoSe2/黒リンの光起電力に関する論文を出版後、MoSe2の層数依存性に関する研究に展開し、現在論文執筆中である。また、超伝導体PbTaSe2の超伝導電流に対する非線形ホール効果を発見する(Nat Comm(2022)に出版)とともに、この物質の超伝導ダイ―オード効果の研究も進行するなど、非線形伝導に関する大きな進展であった。[2]についてはV5Se8/ NbSe2に関する研究が阪大越野教授ら理論グループを巻き込んだ共同研究に発展した。さらに新たな界面Cr3Te4/ TaSe2などに拡張した研究を進めている。[3]については層状物質の自由度を生かした物性開拓としてじわじわと世界的な興味が高まりつつある。2021年4月LixZrNClにおけるBCS-BECクロスオーバーに関する論文をScience誌に出版後、同物質系における磁束ホール効果に関する研究を継続した。また、Cr3Te4へのLiインターカレーションなど、物質系の拡張が進行しており、今後の展開が期待される。
At the beginning of the study, we discussed the symmetrical control of [1], the proximity of the electronic phase control system, the addition of the two projects, and the progress of the research project. In March 2022, Associate Professor Tomosuke Yusuke, a co-researcher and associate professor, was asked to retire from the Civil Society. [2] in March 2022, the Institute of Civil Society decided to prepare strong magnetic materials (YIG)

项目成果

期刊论文数量(190)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Symmetry-engineered van der Waals interface with in-plane polarization and bulk photovoltaic effect
对称设计的范德华界面,具有面内偏振和体光伏效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Ideue;T. Akamatsu;L. Zhou;Y. Dong;S. Kitamura;M. Yoshii;D. Yang;M. Onga;Y. Nakagawa;K. Watanabe;T. Taniguchi;J. Larienzo;J. Huang;Z. Ye;T. Morimoto;H. Yuan;and Y. Iwasa;井手上敏也;Toshiya Ideue;Toshiya Ideue;Toshiya Ideue
  • 通讯作者:
    Toshiya Ideue
Van der Waals epitaxial growth of transitional metal dichalcogenides thin films and heterostructure by molecular beam epitaxy
分子束外延过渡金属二硫化物薄膜和异质结构的范德华外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yue Wang;Masaki Nakano;Yuta Kashiwabara;Satoshi Yoshida;Hideki Matsuoka;and Yoshihiro Iwasa
  • 通讯作者:
    and Yoshihiro Iwasa
Ultrafast switching to an insulating-like metastable state by amplitudon excitation of a charge density wave
通过电荷密度波的振幅激发超快切换到类绝缘亚稳态
  • DOI:
    10.1038/s41567-021-01267-3
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    19.6
  • 作者:
    N. Yoshikawa;H. Suganuma;H. Matsuoka;Y. Tanaka;P. Hemme;M. Cazayous;Y. Gallais;M. Nakano;Y. Iwasa;R. Shimano
  • 通讯作者:
    R. Shimano
3R-Ta1+xSe2電荷密度波相のテラヘルツ第3高調波発生
3R-Ta1+xSe2 电荷密度波相位的太赫兹三次谐波产生
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉川尚孝;西澤邦雄;鳴坂潮;松岡秀樹;田中勇貴;中野匡規;岩佐義宏;島野亮
  • 通讯作者:
    島野亮
二次元物質薄膜超構造のMBE成長と物性開拓
二维薄膜上层结构的MBE生长和物理性质的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石黒 大暉;星野 勝義;水津 理恵;坂本 一之;中野匡規
  • 通讯作者:
    中野匡規
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岩佐 義宏其他文献

第5版実験科学講座第6巻 温度・熱、圧力
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Inami;H.Nojiri;S.Maekawa;高梨弘毅;竹延 大志;岩佐 義宏;T.Nishizaki;三谷誠司;高梨弘毅;高梨弘毅;岩佐 義宏;金谷利治;金谷利治;小松絋一;K.Komatsu;松林 伸幸;松林 伸幸
  • 通讯作者:
    松林 伸幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Inami;H.Nojiri;S.Maekawa;高梨弘毅;竹延 大志;岩佐 義宏;T.Nishizaki;三谷誠司;高梨弘毅;高梨弘毅;岩佐 義宏;金谷利治;金谷利治;小松絋一;K.Komatsu;松林 伸幸;松林 伸幸;寺嶋 孝二
  • 通讯作者:
    寺嶋 孝二
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    張 奕勁;鈴木 龍二;石 武;叶 劍挺;岩佐 義宏;三好 美織;井之上勇樹・武藤裕則・田村隆雄・島田広昭・石垣泰輔
  • 通讯作者:
    井之上勇樹・武藤裕則・田村隆雄・島田広昭・石垣泰輔
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  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
    斎藤 優;野島 勉;岩佐 義宏;上原 智,井上正之
  • 通讯作者:
    上原 智,井上正之
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通过调整拥塞窗口恢复时间来提高 CUBIC TCP 中的 RTT 公平性
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    板橋 勇輝;斎藤 優;井手上 敏也;岩佐 義宏;Matsui S.;長谷 清史,網本 貴一;神津智樹・秋山友理愛・山口実靖
  • 通讯作者:
    神津智樹・秋山友理愛・山口実靖

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ファンデルワールス・ヘテロ接合を用いた非相反現象と電子相制御の研究
利用范德华异质结研究不可逆现象和电子相位控制
  • 批准号:
    19H00653
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
イオントロニクス学理の構築
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  • 批准号:
    25000003
  • 财政年份:
    2013
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    $ 128.63万
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    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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  • 批准号:
    18654059
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 128.63万
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    Grant-in-Aid for Exploratory Research
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    99F00226
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高圧を用いたC_<60>化合物の新物質新物性探索
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  • 批准号:
    07213102
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ペロブスカイト型金属ハロゲン化物のフィリング制御と超伝導探索
钙钛矿金属卤化物的填充控制和超导研究
  • 批准号:
    07640467
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
BEDT-TTF系電荷移動錯体の合成とフィリング制御
BEDT-TTF电荷转移复合物的合成与填充控制
  • 批准号:
    07232101
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フラーレン化合物の高圧合成と物性研究
富勒烯化合物的高压合成及物性研究
  • 批准号:
    06224102
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フラーレンとその化合物の単結晶作製と光物性
富勒烯及其化合物的单晶制备及光学性质
  • 批准号:
    05233209
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機伝導体へのドーピング効果と金属-絶縁体転移
掺杂对有机导体和金属-绝缘体转变的影响
  • 批准号:
    05640406
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 128.63万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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知道了