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有機伝導体へのドーピング効果と金属-絶縁体転移

掺杂对有机导体和金属-绝缘体转变的影响

基本信息

批准号：
05640406
负责人：
岩佐義宏
金额：
$ 1.34万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05640406/
关键词：
BEDT-TTF TCNQ 金属絶縁体転移モット絶縁体反強磁性転移

项目摘要

BEDT-TTF(ET)分子からなる二次元伝導層は,多くの有機超伝導体を与えることで有名である。本研究では,この伝導層のキャリア数を系統的に制御できる可能性を有する電荷移動錯体ET-TCNQを対象に金属絶縁体転移と絶縁体相の電子状態の解明を行い,以下の成果を得た。1.温度-圧力平面での電子相図の作成(電気抵抗測定)常圧で330Kに見られる金属絶縁体転移温度は12kbarの圧力を印加することにより約40Kまで降下した。しかしそれ以上の圧力を印加しても,転移温度は減少しなかった。電気抵抗の異方性が小さいため,伝導は主にET層によって担われている。すなわち,電子相図はET層に対応するものである。2.絶縁体相がモット絶縁体であることを見いだした。帯磁率,ESRの測定により,常圧での絶縁体相がモット絶縁体であることが明らかになった。TCNQ鎖はキュリー的な,また,ET層は温度依存性の弱い磁化率を示す。3.TCNQ鎖の反強磁性秩序化の発見T_c=3KでTCNQ一次元鎖が反強磁性に秩序化することを見いだした。従来,TCNQ鎖の低温基底状態はCDWやスピンパイエルス相などの非磁性相しか知られていなかった。TCNQの反強磁性転移の発見は本研究が初めてである。これは,二次元ET層を介した三次元的磁気的相互作用が比較的強いためと解釈されている。ET層の秩序化は明らかになっていないが,ESRの線幅がT〜35Kで急に広くなることから,この温度で反強磁性転移を示したと考えられる。

The BEDT-TTF (ET) molecule is a two-dimensional conductor layer, a multi-organic superconductor and a well-known one. This study explores the possibility of controlling the charge movement of the conductive layer system through ET -TCNQ uses metal insulators and insulators to understand and understand the electronic state of insulators, and the following results are obtained. 1. Temperature-pressure plane electron phase measurement (electrical resistance measurement) 330K constant pressure test gold The temperature of the body is 12kbar and the pressure is lowered to about 40K. The higher the pressure, the higher the pressure. The higher the temperature, the lower the temperature. The anisotropy of the electric resistance is small, and the main conductor is the ET layer.すなわち, electron phase 図はET layer に対応するものである. 2. Jue縁体相がモットJue縁体であることを见いだした. Magnetic rate, ESR measurement, constant pressure, absolute phase, and constant pressure. The TCNQ lock shows the weak magnetic susceptibility of the ET layer due to its temperature dependence. 3. T_c=3K is the anti-strong magnetic order of TCNQ lock. The anti-strong magnetic order of TCNQ one-dimensional lock is the same. As a result, TCNQ locks the low-temperature base state and the non-magnetic phase of CDW in the non-magnetic phase. The anti-strong magnetic properties of TCNQ have been studied since the beginning of this study.これは, the interaction between the two-dimensional ET layer and the magnetic field in the third dimension is relatively strong. The order of the ET layer is clear, and the line width of the ESR is T~35K. Urgent に広くなることから,このtemperatureでantistrongmagnetic転shiftをshowsしたと卡えられる.