SpinMOSFET実現にむけた半導体を中間層とする縦型強磁性トンネル接合の創成
创建以半导体为中间层的垂直铁磁隧道结以实现 SpinMOSFET
基本信息
- 批准号:19J11258
- 负责人:
- 金额:$ 1.09万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-25 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
CoFe電極および熱処理温度を系統的に変化させたCFMS電極を有する横型スピンバルブ素子を作製しスピン注入特性のバイアス電圧依存性と測定温度依存性を測定した.10 Kにおいて局所3端子スピンバルブ素子のバイアス電流依存性を調査したところ,CoFe電極および350℃で熱処理したCFMS電極試料で明瞭なスピンバルブ信号が観測された.非局所3端子Hanle効果信号測定を行ったところ,スピン緩和時間およびスピン拡散長は電極材料に依存せずそれぞれ6.0 ns, 1.6μm程度と先行研究と比較し妥当な値が得られた.これらのパラメータを用いて局所3端子スピンバルブ信号のトンネルスピン偏極率を評価したところ10 KでCFMS電極を用いた場合最大45%とCoFe電極と比較して最大約2.5倍のトンネルスピン偏極率が得られることが分かった.さらに,CFMS電極から得られたCoFeに対する高いトンネルスピン偏極率は状態密度のエネルギー積分から得られる計算値によりよく説明できることが分かった.また,スピン注入信号の温度依存性を評価したところ200 KまではCFMS電極においてハーフメタル性に起因すると考えられる高いトンネルスピン偏極率を示すことが分かった.これらの成果はCo2Fe0.4Mn0.6Siホイスラー合金電極を用いた高偏極スピン注入の実現の駆動力となり縦型構造を有するSpin MOSFETの創生に寄与するものである.
CoFe electrode and heat treatment temperature system change, CFMS electrode has horizontal shape, injection characteristics, voltage dependence, temperature dependence, CoFe electrode and heat treatment temperature system change, CFMS electrode sample change, temperature dependence, temperature dependence. Non-local 3-terminal Hanle effect signal measurement, line and phase relaxation time, dispersion length electrode material dependence, 6.0 ns, 1.6μm degree, preliminary study, comparison and appropriate results. The maximum polarization ratio of CFMS electrode is 45%, and the maximum polarization ratio of CoFe electrode is 2.5 times. The CFMS electrode has a high polarization ratio and a low polarization ratio. The CFMS electrode has a high polarization ratio and a high polarization ratio. The temperature dependence of CFMS injection signal is evaluated at 200 K. The polarization ratio of CFMS electrode is shown. The results of this research are: Co2Fe0.4Mn0.6Si alloy electrode, high polarization electrode, high power injection electrode, Spin MOSFET, etc.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Large spin signals of local 3 terminal spin valve effect in n Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral structured devices at low temperature
n Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si横向结构器件低温局部三端自旋阀效应的大自旋信号
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeo Koike;Mikihiko Oogane;Masakiyo Tsunoda;and Yasuo Ando
- 通讯作者:and Yasuo Ando
Large spin signals in n+-Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral spin-valve devices
- DOI:10.1063/1.5132701
- 发表时间:2020-02-24
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Koike, Takeo;Oogane, Mikihiko;Ando, Yasuo
- 通讯作者:Ando, Yasuo
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
小池 剛央其他文献
Effects of Spin Diffusion on Electron Spin Relaxation Time Measured with a Time-Resolved Microscopic Photoluminescence Technique
自旋扩散对时间分辨显微光致发光技术测量的电子自旋弛豫时间的影响
- DOI:
10.1063/1.4906847 - 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:
稲葉 仁;小池 剛央;大兼 幹彦;安藤 康夫;T. Baba;K. Ikeda and H. Kawaguchi - 通讯作者:
K. Ikeda and H. Kawaguchi
半導体へのスピン注入へ向けたSrTiO3 基板上へのCo2Fe0.4Mn0.6Si 薄膜の作製
SrTiO3 基底上 Co2Fe0.4Mn0.6Si 薄膜的制备用于自旋注入半导体
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
稲葉 仁;小池 剛央;大兼 幹彦;安藤 康夫 - 通讯作者:
安藤 康夫
Co2Fe0.4Mn0.6Siホイスラー合金薄膜を用いたn型Geへのスピン注入
使用 Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler 合金薄膜自旋注入 n 型 Ge
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
小池 剛央;大兼 幹彦,小野 敦央,高田 哲朗,齋藤 秀和,安藤 康夫 - 通讯作者:
大兼 幹彦,小野 敦央,高田 哲朗,齋藤 秀和,安藤 康夫
Photonic crystal nanolasers for sensing applications
用于传感应用的光子晶体纳米激光器
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
稲葉 仁;小池 剛央;大兼 幹彦;安藤 康夫;T. Baba - 通讯作者:
T. Baba
小池 剛央的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
次世代燃料電池ITFCの高性能空気極の開発:酸素へのスピン注入によるORRブースト
开发下一代燃料电池ITFC的高性能空气电极:通过自旋注入氧气提高ORR
- 批准号:
24K17762 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
二次元ヘテロ構造における光スピン注入の実時間ダイナミクスに関する大規模数値実験
二维异质结构中光学自旋注入实时动力学的大规模数值实验
- 批准号:
24K17629 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
中赤外円偏光誘起のスピン偏極非相反電流の機構解明とそれによる室温スピン注入の実現
阐明中红外圆偏振光诱导自旋偏振不可逆电流的机理并利用其实现室温自旋注入
- 批准号:
23KJ0480 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
動的スピン注入の詳細機構解明による革新的スピンカロリトロクス
通过阐明动态自旋注入的详细机制,创新性自旋 caloritrox
- 批准号:
22KJ2485 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiCにおける電気的スピン注入に基いた局在スピン制御の開拓
基于SiC电自旋注入的局域自旋控制的发展
- 批准号:
21K20502 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
トポロジカル半金属を用いた高性能純スピン注入源の開発
使用拓扑非金属开发高性能纯自旋注入源
- 批准号:
21J10066 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピンダイナミクスと熱スピン注入の融合によるワイヤレス・スピン流生成とその応用
自旋动力学与热自旋注入相结合的无线自旋电流产生及其应用
- 批准号:
16J05621 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物半導体へのスピン注入とスピン軌道相互作用の制御
自旋注入氧化物半导体和自旋轨道相互作用的控制
- 批准号:
26889009 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
電界アシストを利用したスピン注入磁気メモリの研究
电场辅助自旋注入磁存储器研究
- 批准号:
25420305 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゼロ磁場制御可能な面直磁化スピン注入源を用いたスピンホール効果トランジスタの開発
利用可在零磁场下控制的垂直磁化自旋注入源开发自旋霍尔效应晶体管
- 批准号:
13J08663 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows