Modulation spaces and HRT conjecture

调制空间和 HRT 猜想

基本信息

  • 批准号：
    19K03533
  • 负责人：
    Kobayashi Masaharu
  • 金额：
    $ 1.5万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
REPRESENTATION OF HIGHER-ORDER DISPERSIVE OPERATORS VIA SHORT-TIME FOURIER TRANSFORM AND ITS APPLICATION
高阶色散算子的短时傅里叶变换表示及其应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Tohoku Math. Journal
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Kato;M. Kobayashi;S. Ito and T. Takahashi
  • 通讯作者：
    S. Ito and T. Takahashi
Operating functions on A^q_s (T)
A^q_s (T) 上的运算函数
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  • 作者：
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シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性
硅 GAA 纳米线 MOSFET 的低温亚阈值特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午;Shohei Sekiguchi;関口翔平
  • 通讯作者：
    関口翔平
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/acac3b
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu
  • 通讯作者：
    Kobayashi Masaharu
Waterbomb tessellationのcylinder solutionの存在条件について
关于水弹镶嵌圆柱解的存在条件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kobayashi Masaharu;Sato Enji;小林政晴;張娟姫;村井紘子，山本怜佳
  • 通讯作者：
    村井紘子，山本怜佳
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
  • DOI：
    10.1109/jeds.2021.3108854
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    IEEE Journal of the Electron Devices Society
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro
  • 通讯作者：
    Hiramoto Toshiro
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午
  • 通讯作者：
    金 駿午

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基于铁电HfO2薄膜的陡亚阈值斜率FET和嵌入式FeRAM构建的超低功耗电路的研发
  • 批准号：
    16K18085
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 1.5万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Modulation space and its applications to PDEs
调制空间及其在偏微分方程中的应用
  • 批准号：
    16K17606
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 1.5万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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