Research and development of ultralow power circuit built by steep subthreshold slope FET and embedded FeRAM based on ferroelectric HfO2 thin film

基于铁电HfO2薄膜的陡亚阈值斜率FET和嵌入式FeRAM构建的超低功耗电路的研发

基本信息

  • 批准号:
    16K18085
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(25)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
使用铁电 HfO2 增强全栅纳米线负电容 FET 的离子/关断比
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kyungmin Jang;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
  • 通讯作者:
    and Toshiro Hiramoto
Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
用于常断应用的具有铁电 HfO2 电容器的非易失性 SRAM 的实验演示
  • DOI:
    10.1109/jeds.2018.2800090
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaharu Kobayashi;Nozomu Ueyama;Kyungmin Jang;and Toshiro Hiramoto
  • 通讯作者:
    and Toshiro Hiramoto
Present status and future prospects of Si-based CMOS devices
硅基CMOS器件的现状及未来展望
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Watanabe Tomoaki;da Silva Carlos B.;Nagata Koji;Sakai Yasuhiko;小林正治
  • 通讯作者:
    小林正治
Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope
用于陡峭亚阈值斜率的负电容晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tai Y.;Watanabe T.;Nagata K.;Masaharu Kobayashi
  • 通讯作者:
    Masaharu Kobayashi
低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証
用于低功耗应用的铁电 HfO2 薄膜非易失性 SRAM 的操作演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Watanabe T.;Jaulino R.;Taveira R. R.;da Silva C. B.;Nagata K.;Sakai Y.;小林正治,上山望,平本俊郎
  • 通讯作者:
    小林正治,上山望,平本俊郎
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Kobayashi Masaharu其他文献

シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性
硅 GAA 纳米线 MOSFET 的低温亚阈值特性
  • DOI:
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    2021
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  • 影响因子:
    0
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    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午;Shohei Sekiguchi;関口翔平
  • 通讯作者:
    関口翔平
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/acac3b
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu
  • 通讯作者:
    Kobayashi Masaharu
Waterbomb tessellationのcylinder solutionの存在条件について
关于水弹镶嵌圆柱解的存在条件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kobayashi Masaharu;Sato Enji;小林政晴;張娟姫;村井紘子,山本怜佳
  • 通讯作者:
    村井紘子,山本怜佳
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
  • DOI:
    10.1109/jeds.2021.3108854
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro
  • 通讯作者:
    Hiramoto Toshiro
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午
  • 通讯作者:
    金 駿午

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Modulation spaces and HRT conjecture
调制空间和 HRT 猜想
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调制空间及其在偏微分方程中的应用
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    2016
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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