Research and development of ultralow power circuit built by steep subthreshold slope FET and embedded FeRAM based on ferroelectric HfO2 thin film
基于铁电HfO2薄膜的陡亚阈值斜率FET和嵌入式FeRAM构建的超低功耗电路的研发
基本信息
- 批准号:16K18085
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(25)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
使用铁电 HfO2 增强全栅纳米线负电容 FET 的离子/关断比
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kyungmin Jang;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
- 通讯作者:and Toshiro Hiramoto
Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
用于常断应用的具有铁电 HfO2 电容器的非易失性 SRAM 的实验演示
- DOI:10.1109/jeds.2018.2800090
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masaharu Kobayashi;Nozomu Ueyama;Kyungmin Jang;and Toshiro Hiramoto
- 通讯作者:and Toshiro Hiramoto
Present status and future prospects of Si-based CMOS devices
硅基CMOS器件的现状及未来展望
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Watanabe Tomoaki;da Silva Carlos B.;Nagata Koji;Sakai Yasuhiko;小林正治
- 通讯作者:小林正治
Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope
用于陡峭亚阈值斜率的负电容晶体管
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Tai Y.;Watanabe T.;Nagata K.;Masaharu Kobayashi
- 通讯作者:Masaharu Kobayashi
低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証
用于低功耗应用的铁电 HfO2 薄膜非易失性 SRAM 的操作演示
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Watanabe T.;Jaulino R.;Taveira R. R.;da Silva C. B.;Nagata K.;Sakai Y.;小林正治,上山望,平本俊郎
- 通讯作者:小林正治,上山望,平本俊郎
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Kobayashi Masaharu其他文献
シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性
硅 GAA 纳米线 MOSFET 的低温亚阈值特性
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午;Shohei Sekiguchi;関口翔平 - 通讯作者:
関口翔平
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
- DOI:
10.35848/1347-4065/acac3b - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者:
Kobayashi Masaharu
Waterbomb tessellationのcylinder solutionの存在条件について
关于水弹镶嵌圆柱解的存在条件
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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村井紘子,山本怜佳
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低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
- DOI:
10.1109/jeds.2021.3108854 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro - 通讯作者:
Hiramoto Toshiro
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午 - 通讯作者:
金 駿午
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Modulation spaces and HRT conjecture
调制空间和 HRT 猜想
- 批准号:
19K03533 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
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调制空间及其在偏微分方程中的应用
- 批准号:
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- 资助金额:
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