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Research and development of ultralow power circuit built by steep subthreshold slope FET and embedded FeRAM based on ferroelectric HfO2 thin film

Research and development of ultralow power circuit built by steep subthreshold slope FET and embedded FeRAM based on ferroelectric HfO2 thin film
基于铁电HfO2薄膜的陡亚阈值斜率FET和嵌入式FeRAM构建的超低功耗电路的研发
批准号：
16K18085
负责人：
Kobayashi Masaharu
金额：
$2.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K18085/
关键词：
低消費電力負性容量トランジスタ不揮発性メモリ強誘電体酸化ハフニウム負性容量IoT強誘電性HfO2トランジスタ

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Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
使用铁电 HfO2 增强全栅纳米线负电容 FET 的离子/关断比
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto]
通讯作者： and Toshiro Hiramoto
Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
用于常断应用的具有铁电 HfO2 电容器的非易失性 SRAM 的实验演示
DOI： 10.1109/jeds.2018.2800090
发表时间： 2018
期刊： Journal of the Electron Devices Society
影响因子： --
作者： [Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto]
通讯作者： and Toshiro Hiramoto
Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope
用于陡峭亚阈值斜率的负电容晶体管
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Tai Y., Watanabe T., Nagata K., Masaharu Kobayashi]
通讯作者： Masaharu Kobayashi
低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証
用于低功耗应用的铁电 HfO2 薄膜非易失性 SRAM 的操作演示
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Watanabe T., Jaulino R., Taveira R. R., da Silva C. B., Nagata K., Sakai Y., 小林正治，上山望，平本俊郎]
通讯作者： 小林正治，上山望，平本俊郎
共 20 条
    Modulation spaces and HRT conjecture
    • 批准号：
      19K03533
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.5万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Kobayashi Masaharu
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Modulation space and its applications to PDEs
    • 批准号：
      16K17606
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $1.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kobayashi Masaharu
    • 依托单位：
      Hokkaido University