权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Research and development of ultralow power circuit built by steep subthreshold slope FET and embedded FeRAM based on ferroelectric HfO2 thin film

基于铁电HfO2薄膜的陡亚阈值斜率FET和嵌入式FeRAM构建的超低功耗电路的研发

基本信息

批准号：
16K18085
负责人：
Kobayashi Masaharu
金额：
$ 2.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（25）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2

使用铁电 HfO2 增强全栅纳米线负电容 FET 的离子/关断比

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kyungmin Jang;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
通讯作者：
and Toshiro Hiramoto

Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application

用于常断应用的具有铁电 HfO2 电容器的非易失性 SRAM 的实验演示

DOI：
10.1109/jeds.2018.2800090
发表时间：
2018
期刊：
Journal of the Electron Devices Society
影响因子：
0
作者：
Masaharu Kobayashi;Nozomu Ueyama;Kyungmin Jang;and Toshiro Hiramoto
通讯作者：
and Toshiro Hiramoto

Present status and future prospects of Si-based CMOS devices

硅基CMOS器件的现状及未来展望

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Watanabe Tomoaki;da Silva Carlos B.;Nagata Koji;Sakai Yasuhiko;小林正治
通讯作者：
小林正治

Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope

用于陡峭亚阈值斜率的负电容晶体管

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tai Y.;Watanabe T.;Nagata K.;Masaharu Kobayashi
通讯作者：
Masaharu Kobayashi

低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証

用于低功耗应用的铁电 HfO2 薄膜非易失性 SRAM 的操作演示

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Watanabe T.;Jaulino R.;Taveira R. R.;da Silva C. B.;Nagata K.;Sakai Y.;小林正治，上山望，平本俊郎
通讯作者：
小林正治，上山望，平本俊郎

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Kobayashi Masaharu其他文献

シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性

硅 GAA 纳米线 MOSFET 的低温亚阈值特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金駿午;Shohei Sekiguchi;関口翔平
通讯作者：
関口翔平

Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation

使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模

DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu
通讯作者：
Kobayashi Masaharu

Waterbomb tessellationのcylinder solutionの存在条件について

关于水弹镶嵌圆柱解的存在条件

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kobayashi Masaharu;Sato Enji;小林政晴;張娟姫;村井紘子，山本怜佳
通讯作者：
村井紘子，山本怜佳

Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature

低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅

DOI：
10.1109/jeds.2021.3108854
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
影响因子：
2.3
作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro
通讯作者：
Hiramoto Toshiro