Fermi energy control using electrical contacts in electric-field-induced p-n junctions
使用电场感应 p-n 结中的电接触进行费米能量控制
基本信息
- 批准号:19K03697
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(15)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Electron and hole mobilities in ambipolar MoS2 electric-double-layer transistor
双极MoS2双电层晶体管中的电子和空穴迁移率
- DOI:10.1063/5.0016336
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Y. Shimazu;S. Ono;and I. Shioya
- 通讯作者:and I. Shioya
Electron beam/focused ion beam-assisted deposition of metal electrodes on transition metal dichalcogenides
电子束/聚焦离子束辅助金属电极在过渡金属二硫属化物上的沉积
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. Honda;S. Ono;I. Shioya and Y. Shimazu
- 通讯作者:I. Shioya and Y. Shimazu
Hall effect measurement using very low ac magnetic fields and its application to two-dimensional materials
使用极低交流磁场的霍尔效应测量及其在二维材料中的应用
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:F. Yoshihara;S. Ashhab;T. Fuse;M. Bamba;and K. Semba;Y. Shimazu
- 通讯作者:Y. Shimazu
Hall effect measurements using low ac magnetic fields and lock-in technique on field effect transistors with molybdenum disulfide channels
使用低交流磁场和锁定技术对具有二硫化钼通道的场效应晶体管进行霍尔效应测量
- DOI:10.1016/j.physleta.2019.126073
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:2.6
- 作者:Shimazu Yoshihiro;Iwabuchi Tatsuya;Arai Kensuke;Shioya Inoru
- 通讯作者:Shioya Inoru
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Shimazu Yoshihiro其他文献
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- 影响因子:1.5
- 作者:
Shimazu Yoshihiro;Arai Kensuke;Iwabuchi Tatsuya - 通讯作者:
Iwabuchi Tatsuya
Shimazu Yoshihiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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