Application of resistance change memory to ultrasensitive sensors -Exploration of new excitation processes in metal oxides-

电阻变化存储器在超灵敏传感器中的应用-金属氧化物新激发过程的探索-

• 批准号: 19K04476
• 负责人: Kinoshita Kentaro
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tokyo University of Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04476/
• 关键词: 欠陥; 抵抗変化メモリ; 学習デバイス; 物理リザバー; 金属酸化物; 学習; セレクター; 光; ショットキー接合; 素励起; セレクタ; 金属酸化物薄膜

项目成果

熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン

基于热流设计的电阻式存储器（ReRAM）灯丝设计

• 发表时间: 2021
• 作者: 佐々木 悠太;木下 健太郎
• 通讯作者: 木下 健太郎

Electrode/Nb‐doped SrTiO3 junction as a physical reservoir device

电极/掺铌 SrTiO3 结作为物理储存装置

• 发表时间: 2021
• 作者: 山﨑悠太郎;甲斐洋行;木下健太郎;Kentaro Kinoshita
• 通讯作者: Kentaro Kinoshita

ペロブスカイト型酸化物抵抗変化メモリの光応答特性評価及び人工シナプスデバイス応用の検討

钙钛矿型氧化物阻变存储器光响应特性评价及其在人工突触器件中的应用研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 山﨑悠太郎;橋本悠太;青木裕雅;木下健太郎
• 通讯作者: 木下健太郎

電極/Nb-dopedSrTiO3界面の光誘起電流を利用したリザバーコンピューティング

使用电极/掺铌 SrTiO3 界面光生电流进行储层计算

• 发表时间: 2023
• 作者: Shuhei Saitoh;and Kentaro Kinoshita;山崎悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎
• 通讯作者: 山崎悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎

Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow

基于热流控制阻变存储器中细丝生长模式

• DOI: 10.35848/1347-4065/abd9d3
• 发表时间: 2021
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Qixin GUO;Shunsuke MOTOMURA;Katsuhiko SAITO;Tooru TANAKA;Qixin GUO;Qixin GUO;Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita
• 通讯作者: Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita