Application of resistance change memory to ultrasensitive sensors -Exploration of new excitation processes in metal oxides-
Application of resistance change memory to ultrasensitive sensors -Exploration of new excitation processes in metal oxides-
电阻变化存储器在超灵敏传感器中的应用-金属氧化物新激发过程的探索-
批准号：
19K04476
负责人：
Kinoshita Kentaro
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン
基于热流设计的电阻式存储器（ReRAM）灯丝设计
基于热流设计的电阻式存储器（ReRAM）灯丝设计
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐々木 悠太, 木下 健太郎]
通讯作者：
木下 健太郎
Electrode/Nb‐doped SrTiO3 junction as a physical reservoir device
电极/掺铌 SrTiO3 结作为物理储存装置
电极/掺铌 SrTiO3 结作为物理储存装置
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山﨑悠太郎, 甲斐洋行, 木下健太郎, Kentaro Kinoshita]
通讯作者：
Kentaro Kinoshita
ペロブスカイト型酸化物抵抗変化メモリの光応答特性評価及び人工シナプスデバイス応用の検討
钙钛矿型氧化物阻变存储器光响应特性评价及其在人工突触器件中的应用研究
钙钛矿型氧化物阻变存储器光响应特性评价及其在人工突触器件中的应用研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山﨑悠太郎, 橋本悠太, 青木裕雅, 木下健太郎]
通讯作者：
木下健太郎
電極/Nb-dopedSrTiO3界面の光誘起電流を利用したリザバーコンピューティング
使用电极/掺铌 SrTiO3 界面光生电流进行储层计算
使用电极/掺铌 SrTiO3 界面光生电流进行储层计算
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shuhei Saitoh, and Kentaro Kinoshita, 山崎悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎]
通讯作者：
山崎悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎
Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow
基于热流控制阻变存储器中细丝生长模式
基于热流控制阻变存储器中细丝生长模式
DOI：
10.35848/1347-4065/abd9d3
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Qixin GUO, Shunsuke MOTOMURA, Katsuhiko SAITO, Tooru TANAKA, Qixin GUO, Qixin GUO, Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita]
通讯作者：
Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita
共 8 条
Proposal of "pore engineering" as a device designing method for conducting-bridge memory
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批准号：15K06017
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2015
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负责人：Kinoshita Kentaro
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依托单位：