Proposal of "pore engineering" as a device designing method for conducting-bridge memory
Proposal of "pore engineering" as a device designing method for conducting-bridge memory
提出“孔隙工程”作为导电桥存储器的器件设计方法
批准号：
15K06017
负责人：
Kinoshita Kentaro
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.1039/c6tc01486k
发表时间：
2016-07
期刊：
Journal of Materials Chemistry C
影响因子：
6.4
作者：
[A. Harada;Hiroki Yamaoka;S. Tojo;K. Watanabe;Atsushi Sakaguchi;K. Kinoshita;S. Kishida;Y. Fukaya;K. Matsumoto;R. Hagiwara;H. Sakaguchi;T. Nokami;T. Itoh]
通讯作者：
A. Harada;Hiroki Yamaoka;S. Tojo;K. Watanabe;Atsushi Sakaguchi;K. Kinoshita;S. Kishida;Y. Fukaya;K. Matsumoto;R. Hagiwara;H. Sakaguchi;T. Nokami;T. Itoh
DOI：
10.1063/1.4944413
发表时间：
2016-03
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Kouhei Kimura;K. Ohmi;S. Kishida;K. Kinoshita]
通讯作者：
Kouhei Kimura;K. Ohmi;S. Kishida;K. Kinoshita
DOI：
10.1039/c5tc01127b
发表时间：
2015-07
期刊：
Journal of Materials Chemistry C
影响因子：
6.4
作者：
[A. Harada;Hiroki Yamaoka;R. Ogata;K. Watanabe;K. Kinoshita;S. Kishida;T. Nokami;T. Itoh]
通讯作者：
A. Harada;Hiroki Yamaoka;R. Ogata;K. Watanabe;K. Kinoshita;S. Kishida;T. Nokami;T. Itoh
イオン液体で実現する高性能抵抗可変型メモリ(CB-RAM)
使用离子液体实现的高性能可变电阻存储器（CB-RAM）
使用离子液体实现的高性能可变电阻存储器（CB-RAM）
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤敏幸, 野上敏材, 早瀬修一, 木下健太郎]
通讯作者：
木下健太郎
イオン液体添加による導電性ブリッジメモリの性能と信頼性の向上
添加离子液体提高导电桥存储器的性能和可靠性
添加离子液体提高导电桥存储器的性能和可靠性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[阪口敦，渡邉浩平，原田晃典, 山岡弘貴, 伊藤敏幸, 岸田悟, 木下健太郎]
通讯作者：
木下健太郎
共 13 条
Application of resistance change memory to ultrasensitive sensors -Exploration of new excitation processes in metal oxides-
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批准号：19K04476
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Kinoshita Kentaro
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依托单位：
海外基金