Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method
Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method
使用硅化物丝方法开发最小配置电阻开关存储器
批准号：
19K04475
负责人：
Hotta Yasushi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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寺垣 亮太，小林 滉平，吉田 晴彦，新船 幸二， 神吉輝夫，堀田 育志
寺垣亮太、小林航平、吉田晴彦、新船浩二、神吉辉雄、堀田育志
寺垣亮太、小林航平、吉田晴彦、新船浩二、神吉辉雄、堀田育志
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺垣亮太, 吉田晴彦, 新船幸二, 神吉輝夫, 堀田育志, 小林 滉平，寺垣 亮太，吉田 晴彦，新船 幸二，堀田 育志, Al/金属酸化物/Si構造における抵抗スイッチング現象]
通讯作者：
Al/金属酸化物/Si構造における抵抗スイッチング現象
Al/金属酸化物/HfO2/Si構造の金属酸化物が抵抗スイッチングに与える影響
Al/金属氧化物/HfO2/Si结构金属氧化物对电阻切换的影响
Al/金属氧化物/HfO2/Si结构金属氧化物对电阻切换的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺垣亮太, 吉田晴彦, 新船幸二, 神吉輝夫, 堀田育志]
通讯作者：
堀田育志
Al/HfO2/n-Si(100)構造の抵抗変化現象の素子サイズ依存性
Al/HfO2/n-Si(100) 结构中电阻变化现象的器件尺寸依赖性
Al/HfO2/n-Si(100) 结构中电阻变化现象的器件尺寸依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺垣亮太, 吉田晴彦, 新船幸二, 神吉輝夫, 堀田育志, 小林 滉平，寺垣 亮太，吉田 晴彦，新船 幸二，堀田 育志]
通讯作者：
小林 滉平，寺垣 亮太，吉田 晴彦，新船 幸二，堀田 育志
Investigation of Sr-silicate layer as field effect passivation film for Si solar cell
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批准号：26820116
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
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负责人：Hotta Yasushi
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依托单位：