Investigation of Sr-silicate layer as field effect passivation film for Si solar cell
Investigation of Sr-silicate layer as field effect passivation film for Si solar cell
批准号:
26820116
负责人:
Hotta Yasushi
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31
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Sr2SiO4ターゲットで作製したSr2SiO4膜組成のアニール温度依存性
使用 Sr2SiO4 靶材制备的 Sr2SiO4 薄膜成分的退火温度依赖性
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[上岡 聡史, 三宅 省三, 吉田 晴彦, 新船 幸二, 佐藤 真一, 堀田 育志, 今西啓司,谷脇将太,馬野光博,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一]
通讯作者:
今西啓司,谷脇将太,馬野光博,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一
Influence of Post Annealing Treatment on Fixed Charge State and Chemical Bonding State of Sr-silicate Film
后退火处理对硅酸锶薄膜固定电荷态和化学键态的影响
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Taniwaki, Mitsuhiro Umano, H. Yoshida, K. Arafune, S. Satoh, Y. Hotta]
通讯作者:
Y. Hotta
SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSrxSiOx+2薄膜の電気特性
SrO端接Si(100)2×1重构衬底上生长的SrxSiOx+2薄膜的电学性能
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Taniwaki , Y. Hotta, H. Yoshida, K. Arafune, A. Ogura, and S. Satoh, 今西啓司,谷脇将太,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一, 谷脇将太,今西啓司,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一]
通讯作者:
谷脇将太,今西啓司,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一
研究グループHP
研究组网站
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Correlation between chemical-bonding states and fixed-charge states of Sr-silicate film on Si(100) substrate
Si(100)衬底上Sr硅酸盐薄膜化学键态与固定电荷态的相关性
DOI:
10.1116/1.4966904
发表时间:
2016
期刊:
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子:
2.9
作者:
[S. Taniwaki, H. Yoshida, K. Arafune, A. Ogura, S. Satoh, Y. Hotta]
通讯作者:
Y. Hotta
共 18 条
Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method
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批准号:19K04475
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2019
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负责人:Hotta Yasushi
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依托单位:
海外基金