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Investigation of Sr-silicate layer as field effect passivation film for Si solar cell

Investigation of Sr-silicate layer as field effect passivation film for Si solar cell
硅酸锶层作为硅太阳能电池场效应钝化膜的研究
批准号:
26820116
负责人:
Hotta Yasushi
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31

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Sr2SiO4ターゲットで作製したSr2SiO4膜組成のアニール温度依存性
使用 Sr2SiO4 靶材制备的 Sr2SiO4 薄膜成分的退火温度依赖性
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [上岡 聡史, 三宅 省三, 吉田 晴彦, 新船 幸二, 佐藤 真一, 堀田 育志, 今西啓司,谷脇将太,馬野光博,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一]
通讯作者: 今西啓司,谷脇将太,馬野光博,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一
Influence of Post Annealing Treatment on Fixed Charge State and Chemical Bonding State of Sr-silicate Film
后退火处理对硅酸锶薄膜固定电荷态和化学键态的影响
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [S. Taniwaki, Mitsuhiro Umano, H. Yoshida, K. Arafune, S. Satoh, Y. Hotta]
通讯作者: Y. Hotta
SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSrxSiOx+2薄膜の電気特性
SrO端接Si(100)2×1重构衬底上生长的SrxSiOx+2薄膜的电学性能
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [S. Taniwaki , Y. Hotta, H. Yoshida, K. Arafune, A. Ogura, and S. Satoh, 今西啓司,谷脇将太,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一, 谷脇将太,今西啓司,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一]
通讯作者: 谷脇将太,今西啓司,堀田育志,吉田晴彦, 新船幸二,小椋厚志,佐藤真一
研究グループHP
研究组网站
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
18
    Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method
    • 批准号:
      19K04475
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.75万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Hotta Yasushi
    • 依托单位:
    海外基金