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Fermiology and physical properties of beta-Ga2O3

Fermiology and physical properties of beta-Ga2O3
β-Ga2O3 的费米学和物理性质
批准号:
19K04503
负责人:
Ito Toshimitsu
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31

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ワイドギャップ半導体β-Ga2O3の結晶育成と評価
宽带隙半导体β-Ga2O3的晶体生长及评价
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [伊藤利充, 尾崎康子, 稲葉英樹, 富岡泰秀]
通讯作者: 富岡泰秀
Cyclic BCl3-based plasma treatments for enhancing surface quality of (010) β-Ga2O3 substrates
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DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: C. Dussarrat
AIST: 産業技術総合研究所
AIST:日本产业技术综合研究所
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: 10.7567/1347-4065/ab4d20
发表时间: 2019
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Ito Toshimitsu, Ozaki Yasuko, Tomioka Yasuhide]
通讯作者: Tomioka Yasuhide
共 11 条
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