Fabrication of high-performance and low-power-consumption graphene FETs using substrates with ultra-fine metal patterns
Fabrication of high-performance and low-power-consumption graphene FETs using substrates with ultra-fine metal patterns
批准号:
19K04531
负责人:
Toshiharu Kubo
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
Ni金属催化剂结晶度对转移游离石墨烯II结晶度的影响
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志]
通讯作者:
江川孝志
微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
利用微结构镍图案的团聚现象在蓝宝石衬底上制备转移的游离石墨烯薄膜
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[高橋明空, 加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志]
通讯作者:
江川孝志
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
小林元树、Bilguun Dorjdagva、久保敏晴、三好诚、江川隆
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masayuki Nakamoto, Jonghyun Moon, Kosuke Shimizu, Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs]
通讯作者:
Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
Ni金属催化剂结晶度对转移游离晶粒结晶度的影响
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志]
通讯作者:
江川孝志
触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
催化金属聚集法制备的无转移多层石墨烯光响应性能评价2
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志]
通讯作者:
江川孝志
共 7 条
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集成微流控与FET生物传感器用于复杂体系中痕量胰腺癌标志物的精准检测
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批准号:2025JJ50378
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:刘逸为
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依托单位:
基于新型四面体探针的PLA-FET传感器特异性检测糖基化外泌体PD-L1用于肿瘤早期诊断
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批准号:JCZRYB202500836
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
基于可视化探针-FET生物传感器的术中乳腺癌前哨淋巴结活检
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批准号:2025JJ81135
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:周丽智
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依托单位:
大功率p-FET器件与逻辑芯片架构方法研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
双层石墨烯纳米带阵列的微纳限域低温合成及全碳FET器件研究
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批准号:
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项目类别:面上项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:胡宝山
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依托单位:
智能双栅调控InSe Bio-FET可控构筑与原位细胞传感机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
离子辐照精准调控SnS2栅极敏感材料缺陷密度增强碳基FET型气体传感器性能的研究
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批准号:12305330
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:周云
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依托单位:
Nb2O5/MoSe2-FET器件的室温氢敏性能与特异性增敏机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2023
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负责人:
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依托单位:
电池状态监测用可植入式碳基FET传感器及电池失效机制研究
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批准号:2023JJ20036
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2023
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负责人:魏同业
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依托单位:
GaN p-FET 源、漏极欧姆接触机理研究及器件验证
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2023
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负责人:汪青
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依托单位: