Development of an intense terahertz pulse source using semiconductor heterostructures
Development of an intense terahertz pulse source using semiconductor heterostructures
利用半导体异质结构开发强太赫兹脉冲源
批准号：
19K04540
负责人：
Sasa Shigehiko
金额：
$2.25万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Terahertz Radiation Characteristics of GaSb/InAs Heterostructures
GaSb/InAs异质结构的太赫兹辐射特性
GaSb/InAs异质结构的太赫兹辐射特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Sasa, R. Ohashi, D. Shimada, M. Koyama, T. Maemoto, I. Kawayama, and M. Tonouchi]
通讯作者：
and M. Tonouchi
Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures
GaSb/InAs 异质结构中光吸收对太赫兹辐射的影响
GaSb/InAs 异质结构中光吸收对太赫兹辐射的影响
DOI：
10.1109/irmmw-thz46771.2020.9371009
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Xplore
影响因子：
--
作者：
[祐川 真紀帆, 杉野 雄亮, 谷辺 徹, 小澤 満津雄, R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi]
通讯作者：
R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi
InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘ ルツ放射素子の研究（ II）
InGaSb/InAs异质结高强度太赫兹辐射器件研究（二）
InGaSb/InAs异质结高强度太赫兹辐射器件研究（二）
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高木 善之, 長谷川 尊之, 小山 政俊, 前元 利彦, 佐々 誠彦]
通讯作者：
佐々 誠彦
DOI：
10.1109/irmmw-thz46771.2020.9370373
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Xplore
影响因子：
--
作者：
[祐川 真紀帆, 杉野 雄亮, 谷辺 徹, 小澤 満津雄, R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi, Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi]
通讯作者：
Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi
Nonuniform Carrier Heating Induced Nonlinear Electron Transport Properties in Asymmetrically Necked InAs Mesa Structures
不对称颈缩 InAs 台面结构中的非均匀载流子加热引起的非线性电子传输特性
不对称颈缩 InAs 台面结构中的非均匀载流子加热引起的非线性电子传输特性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryota Ohashi, Daichi Shimada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa]
通讯作者：
and Shigehiko Sasa
Development of an intense terahertz pulse source using high-quality InAs thin films
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批准号：16K06326
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2016
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负责人：Sasa Shigehiko
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依托单位：