Fabrication of periodic arrays of dislocations in topological insulators and investigation of their electronic properties

拓扑绝缘体中周期性位错阵列的制作及其电子特性的研究

基本信息

  • 批准号:
    19K04984
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
High-Density Well-Aligned Dislocations Introduced by Plastic Deformation in Bi1-xSbx Topological Insulator Single Crystals
Bi1-xSbx 拓扑绝缘体单晶中塑性变形引入的高密度对齐位错
  • DOI:
    10.3390/cryst9060317
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Tokumoto Yuki;Fujiwara Riku;Edagawa Keiichi
  • 通讯作者:
    Edagawa Keiichi
Pb(Bi,Sb)2Te4トポロジカル絶縁体における準粒子干渉
Pb(Bi,Sb)2Te4 拓扑绝缘体中的准粒子干涉
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    服部裕也;徳本有紀、鷺坂恵介、枝川圭一
  • 通讯作者:
    徳本有紀、鷺坂恵介、枝川圭一
Conductive and Non-conductive Dislocations in Bi-Sb Topological Insulators
  • DOI:
    10.7566/jpsj.89.023703
  • 发表时间:
    2020-02-15
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Hamasaki, Hiromu;Tokumoto, Yuki;Edagawa, Keiichi
  • 通讯作者:
    Edagawa, Keiichi
東京大学 生産技術研究所 徳本研究室
东京大学产业科学研究所德本实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Electrical conduction along dislocations in topological insulators
拓扑绝缘体中沿位错的导电
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Tokumoto;H. Hamasaki;and K. Edagawa
  • 通讯作者:
    and K. Edagawa
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  • 通讯作者:
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