Measurements of mechanical properties of group III-nitride films by in situ transmission electron microscope nanoindentation
原位透射电子显微镜纳米压痕测量III族氮化物薄膜的机械性能
基本信息
- 批准号:25820320
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Correlation between crystal quality and mechanical properties of InN
InN晶体质量与机械性能的相关性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Deura;Y. Ohkubo;Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga
- 通讯作者:Y. Ohno and I. Yonenaga
Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides
- DOI:10.1063/1.4926966
- 发表时间:2015-07
- 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:I. Yonenaga;Y. Ohkubo;M. Deura;K. Kutsukake;Y. Tokumoto;Y. Ohno;A. Yoshikawa;Xinqiang Wang
- 通讯作者:I. Yonenaga;Y. Ohkubo;M. Deura;K. Kutsukake;Y. Tokumoto;Y. Ohno;A. Yoshikawa;Xinqiang Wang
In situ observation of dislocation dynamics in AlN films
AlN 薄膜位错动力学的原位观察
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga
- 通讯作者:Y. Ohno and I. Yonenaga
窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係
氮化铟薄膜的硬度/杨氏模量与晶体性能的关系
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Deura;Y. Ohkubo;Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga;大久保泰,徳本有紀,出浦桃子,後藤頼良,沓掛健太朗,大野裕,米永一郎
- 通讯作者:大久保泰,徳本有紀,出浦桃子,後藤頼良,沓掛健太朗,大野裕,米永一郎
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Tokumoto Yuki其他文献
Research for Long-Period Structure in Mg Alloy using High Pressure
高压镁合金长周期结构研究
- DOI:
10.4131/jshpreview.30.178 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tokumoto Yuki;Fujiwara Riku;Edagawa Keiichi;MATSUSHITA Masafumi - 通讯作者:
MATSUSHITA Masafumi
High-Density Well-Aligned Dislocations Introduced by Plastic Deformation in Bi1-xSbx Topological Insulator Single Crystals
Bi1-xSbx 拓扑绝缘体单晶中塑性变形引入的高密度对齐位错
- DOI:
10.3390/cryst9060317 - 发表时间:
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- 影响因子:2.7
- 作者:
Tokumoto Yuki;Fujiwara Riku;Edagawa Keiichi - 通讯作者:
Edagawa Keiichi
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{{ truncateString('Tokumoto Yuki', 18)}}的其他基金
Fabrication of periodic arrays of dislocations in topological insulators and investigation of their electronic properties
拓扑绝缘体中周期性位错阵列的制作及其电子特性的研究
- 批准号:
19K04984 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
スパッタリング窒化物半導体薄膜の作製とX線回折を用いた特性評価
溅射氮化物半导体薄膜的制备及X射线衍射性能评估
- 批准号:
11750081 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)