Development of novel processing method for slicing of semiconductor wafer
Development of novel processing method for slicing of semiconductor wafer
开发半导体晶圆切片的新型加工方法
批准号：
19K05081
负责人：
Katto Masahito
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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会议论文
Early stage of Si surface processing by femto-second Ti:sapphire laser pulses
飞秒钛蓝宝石激光脉冲处理硅表面的早期阶段
飞秒钛蓝宝石激光脉冲处理硅表面的早期阶段
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masahito Katto, Masanori Kaku, Masahiro Tsukamoto, Yuji Sato and Atsushi Yokotani]
通讯作者：
Yuji Sato and Atsushi Yokotani
フェムト秒レーザーによるSi表面の相変化
飞秒激光在硅表面发生相变
飞秒激光在硅表面发生相变
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
レーザー学会第546回研究会報告
影响因子：
--
作者：
[甲藤正人，横谷篤至，加来昌典，大久保友雅，塚本雅裕]
通讯作者：
甲藤正人，横谷篤至，加来昌典，大久保友雅，塚本雅裕
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