Creation of wet laser doping technology
Creation of wet laser doping technology
湿法激光掺杂技术的创建
批准号：
16H02342
负责人：
Asano Tanemasa
金额：
$27.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
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Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating
通过衬底加热改善 4H-SiC 激光 Al 掺杂的掺杂性能
通过衬底加热改善 4H-SiC 激光 Al 掺杂的掺杂性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[堀匡寛,小野行徳, A. Ikeda]
通讯作者：
A. Ikeda
レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成とレーザー照射損傷のパルス幅依存性
激光掺杂法形成4H-SiC低阻触点及激光辐照损伤的脉宽依赖性
激光掺杂法形成4H-SiC低阻触点及激光辐照损伤的脉宽依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[菊地 俊文, 妹川 要, 池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩]
通讯作者：
池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
DOI：
10.7567/1347-4065/ab12c3
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Appied Physics
影响因子：
--
作者：
[K. Okamoto, T. Kikuchi, A. Ikeda, H. Ikenoue, T. Asano]
通讯作者：
T. Asano
DOI：
10.1016/j.mssp.2016.11.036
发表时间：
2017-11
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
[A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano]
通讯作者：
A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kikuchi, K. Imokawa, A. Ikeda, D. Nakamura, T. Asano, H. Ikenoue]
通讯作者：
H. Ikenoue
共 25 条
Low temperature oxidation of SiC using catalytic effects of functional oxides
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批准号：16K14258
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.33万
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财政年份：2016
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负责人：Asano Tanemasa
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依托单位：
海外基金