Creation of wet laser doping technology

湿法激光掺杂技术的创建

基本信息

  • 批准号：
    16H02342
  • 负责人：
    Asano Tanemasa
  • 金额：
    $ 27.96万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（35）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating
通过衬底加热改善 4H-SiC 激光 Al 掺杂的掺杂性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    堀匡寛,小野行徳;A. Ikeda
  • 通讯作者：
    A. Ikeda
レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成とレーザー照射損傷のパルス幅依存性
激光掺杂法形成4H-SiC低阻触点及激光辐照损伤的脉宽依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    菊地 俊文;妹川 要;池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩
  • 通讯作者：
    池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab12c3
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Appied Physics
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Okamoto;T. Kikuchi;A. Ikeda;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者：
    T. Asano
Increased doping depth of Al in wet-chemical laser doping of 4H-SiC by expanding laser pulse
  • DOI：
    10.1016/j.mssp.2016.11.036
  • 发表时间：
    2017-11
  • 期刊：
    Materials Science in Semiconductor Processing
  • 影响因子：
    4.1
  • 作者：
    A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者：
    A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Kikuchi;K. Imokawa;A. Ikeda;D. Nakamura;T. Asano;H. Ikenoue
  • 通讯作者：
    H. Ikenoue
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Asano Tanemasa其他文献

Wideband Circularly Polarized Antenna with Enhanced Gain and Wide Beamwidth for Energy Harvesting Applications
适用于能量收集应用的具有增强增益和宽波束宽度的宽带圆极化天线
Improving the Coupling Efficiency of the WPT System and Miniaturized Implantable Resonator using Circle Shaped Defected Ground Structure
利用圆形缺陷接地结构提高WPT系统和小型化植入式谐振器的耦合效率

Asano Tanemasa的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('Asano Tanemasa', 18)}}的其他基金

Low temperature oxidation of SiC using catalytic effects of functional oxides
利用功能氧化物的催化作用进行 SiC 的低温氧化
  • 批准号：
    16K14258
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

イオン注入法でのドーパント注入によるダイヤモンド半導体の電気伝導制御の確立
使用离子注入法通过掺杂剂注入建立金刚石半导体的电导控制
  • 批准号：
    23K13369
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高性能GaN系素子作製に向けたハライド気相成長技術の確立
建立用于制造高性能GaN基器件的卤化物气相生长技术
  • 批准号：
    20J13885
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位の生成メカニズムの解明
阐明氮化镓深层能级形成机制，实现超低损耗功率器件
  • 批准号：
    19J23296
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Building of Technical Basis for fabrication of high-power AlN devices
构建高功率AlN器件制造技术基础
  • 批准号：
    19H02166
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices
超高压氮化铝半导体器件制造基础技术开发
  • 批准号：
    19K05292
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films
利用高质量α型氧化镓薄膜研究量子异质结构特性
  • 批准号：
    18K04958
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Correlation between deep-level defects and turn-on switching characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures grown on Si substrates
Si 衬底上生长的 AlGaN/GaN 异质结构中深能级缺陷与导通开关特性之间的相关性
  • 批准号：
    16K06276
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Growth of low-reisitivity diamond wafers for ultra low-loss power electronics
用于超低损耗电力电子器件的低电阻率金刚石晶片的生长
  • 批准号：
    15K18043
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Defect Evaluation of InAlN after Device Process and their Electrical Properties
InAlN器件加工后的缺陷评估及其电性能
  • 批准号：
    15H06070
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Study on high-speed doping mechanism of wet laser processing
湿法激光加工高速掺杂机理研究
  • 批准号：
    25289105
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 27.96万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了