Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices
Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices
超高压氮化铝半导体器件制造基础技术开发
批准号：
19K05292
负责人：
Ueno Kohei
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用
相干AlN/AlGaN异质结构的制备及晶体管应用
相干AlN/AlGaN异质结构的制备及晶体管应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前田 亮太, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋]
通讯作者：
藤岡 洋
NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長
使用 NbN 在 Al 极性 AlN 上外延生长 N 极性 AlN
使用 NbN 在 Al 极性 AlN 上外延生长 N 极性 AlN
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原田南斗, 梅西達哉, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 梶川靖友, 紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋]
通讯作者：
紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価
使用隧道结的单片多色 LED 的制造和评估
使用隧道结的单片多色 LED 的制造和评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森川 創一朗, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋]
通讯作者：
藤岡 洋
低濃度p型GaN縦型ショットキー バリアダイオード構造の作製と評価
低浓度p型GaN垂直肖特基势垒二极管结构的制作与评估
低浓度p型GaN垂直肖特基势垒二极管结构的制作与评估
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋]
通讯作者：
上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors
Al极性AlN上超薄InN薄膜的生长及其在场效应晶体管中的应用
Al极性AlN上超薄InN薄膜的生长及其在场效应晶体管中的应用
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[ジョン ダヨン, 小林 篤, 上野 耕平, 藤岡 洋]
通讯作者：
藤岡 洋
共 45 条
Development of a tag game in physical education enhancing generalization of fair play from gym to classroom
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批准号：16K01622
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.25万
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财政年份：2016
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负责人：Ueno Kohei
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依托单位：
海外基金