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Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices

超高压氮化铝半导体器件制造基础技术开发

基本信息

批准号：
19K05292
负责人：
Ueno Kohei
金额：
$ 1.91万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（45）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用

相干AlN/AlGaN异质结构的制备及晶体管应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
前田亮太;上野耕平;小林篤;藤岡洋
通讯作者：
藤岡洋

NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長

使用 NbN 在 Al 极性 AlN 上外延生长 N 极性 AlN

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
原田南斗;梅西達哉;香西優作;富永依里子;行宗詳規;石川史太郎;梶川靖友;紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
通讯作者：
紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋

トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価

使用隧道结的单片多色 LED 的制造和评估

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
森川創一朗;上野耕平;小林篤;藤岡洋
通讯作者：
藤岡洋

低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価

低浓度p型GaN垂直肖特基势垒二极管结构的制作与评估

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
上野耕平; 小林篤; 藤岡洋;上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
通讯作者：
上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋

Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors

Al极性AlN上超薄InN薄膜的生长及其在场效应晶体管中的应用

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
ジョンダヨン;小林篤;上野耕平;藤岡洋
通讯作者：
藤岡洋

DOI：
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作者：
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Ueno Kohei其他文献

新規窒化スズの超高圧合成と結晶化学

新型氮化锡的超高压合成及晶体化学

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
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0
作者：
Suzuki-Sawano Ema;Ueno Kohei;Naganos Shintaro;Sawano Yoshihiro;Horiuchi Junjiro;Saitoe Minoru;T. Ishida;花田和明;稲垣智哉，大砂哲，丹羽健，長谷川正
通讯作者：
稲垣智哉，大砂哲，丹羽健，長谷川正

マテリアルキュレーションRとその支援システム：科学原理を分野横断的・俯瞰的に探索

Material Curation R及其支撑系统：从跨学科和鸟瞰的角度探索科学原理

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fudetani Taiga;Ueno Kohei;Kobayashi Atsushi;Fujioka Hiroshi;吉武　道子
通讯作者：
吉武　道子

Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN

反演对称性破缺AlN和中心对称NbN的外延结：宽带隙AlN的极性控制

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10.1021/acsaelm.2c01288
发表时间：
2023
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
Kobayashi Atsushi;Kihira Shunya;Akiyama Toru;Kawamura Takahiro;Maeda Takuya;Ueno Kohei;Fujioka Hiroshi
通讯作者：
Fujioka Hiroshi

Superconducting Neutron Detectors and Their Application to Imaging

超导中子探测器及其在成像中的应用

DOI：
10.1587/transele.2019sei0002
发表时间：
2020
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
Suzuki-Sawano Ema;Ueno Kohei;Naganos Shintaro;Sawano Yoshihiro;Horiuchi Junjiro;Saitoe Minoru;T. Ishida
通讯作者：
T. Ishida