Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices

超高压氮化铝半导体器件制造基础技术开发

基本信息

  • 批准号:
    19K05292
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(45)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用
相干AlN/AlGaN异质结构的制备及晶体管应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    前田 亮太;上野 耕平;小林 篤;藤岡 洋
  • 通讯作者:
    藤岡 洋
NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長
使用 NbN 在 Al 极性 AlN 上外延生长 N 极性 AlN
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    原田南斗;梅西達哉;香西優作;富永依里子;行宗詳規;石川史太郎;梶川靖友;紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
  • 通讯作者:
    紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価
使用隧道结的单片多色 LED 的制造和评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    森川 創一朗;上野 耕平;小林 篤;藤岡 洋
  • 通讯作者:
    藤岡 洋
低濃度p型GaN縦型ショットキー バリアダイオード構造の作製と評価
低浓度p型GaN垂直肖特基势垒二极管结构的制作与评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上野耕平; 小林篤; 藤岡洋;上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
  • 通讯作者:
    上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors
Al极性AlN上超薄InN薄膜的生长及其在场效应晶体管中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ジョン ダヨン;小林 篤;上野 耕平;藤岡 洋
  • 通讯作者:
    藤岡 洋
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Ueno Kohei其他文献

新規窒化スズの超高圧合成と結晶化学
新型氮化锡的超高压合成及晶体化学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Suzuki-Sawano Ema;Ueno Kohei;Naganos Shintaro;Sawano Yoshihiro;Horiuchi Junjiro;Saitoe Minoru;T. Ishida;花田 和明;稲垣 智哉,大砂 哲,丹羽 健,長谷川 正
  • 通讯作者:
    稲垣 智哉,大砂 哲,丹羽 健,長谷川 正
マテリアルキュレーションRとその支援システム:科学原理を分野横断的・俯瞰的に探索
Material Curation R及其支撑系统:从跨学科和鸟瞰的角度探索科学原理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fudetani Taiga;Ueno Kohei;Kobayashi Atsushi;Fujioka Hiroshi;吉武 道子
  • 通讯作者:
    吉武 道子
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN
反演对称性破缺AlN和中心对称NbN的外延结:宽带隙AlN的极性控制
  • DOI:
    10.1021/acsaelm.2c01288
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.7
  • 作者:
    Kobayashi Atsushi;Kihira Shunya;Akiyama Toru;Kawamura Takahiro;Maeda Takuya;Ueno Kohei;Fujioka Hiroshi
  • 通讯作者:
    Fujioka Hiroshi
Superconducting Neutron Detectors and Their Application to Imaging
超导中子探测器及其在成像中的应用
  • DOI:
    10.1587/transele.2019sei0002
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.5
  • 作者:
    Suzuki-Sawano Ema;Ueno Kohei;Naganos Shintaro;Sawano Yoshihiro;Horiuchi Junjiro;Saitoe Minoru;T. Ishida
  • 通讯作者:
    T. Ishida
QUEST における定常プラズマ実験
QUEST 的稳定等离子体实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Suzuki-Sawano Ema;Ueno Kohei;Naganos Shintaro;Sawano Yoshihiro;Horiuchi Junjiro;Saitoe Minoru;T. Ishida;花田 和明
  • 通讯作者:
    花田 和明

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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
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Development of a tag game in physical education enhancing generalization of fair play from gym to classroom
体育教学中标签游戏的开发增强了从体育馆到教室的公平竞争的普遍性
  • 批准号:
    16K01622
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
阐明非平衡多晶型结晶机理及电子器件应用
  • 批准号:
    23K26506
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
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  • 批准号:
    24K08272
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
先進的電子デバイスにおける劣化のサイエンス
先进电子设备退化的科学
  • 批准号:
    23K22789
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスを用いた広帯域テラヘルツパルス発生技術の開拓
利用电子设备开发宽带太赫兹脉冲发生技术
  • 批准号:
    23K23257
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
空間的に精密制御されたイオン交換ドーピングによる革新的な有機電子デバイスの創成
使用空间精确控制的离子交换掺杂创建创新的有机电子器件
  • 批准号:
    23K23428
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスの高性能な熱管理システム開発
电子设备高性能热管理系统的开发
  • 批准号:
    24KJ0389
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
点欠陥の流動と凝縮の素過程解明にもとづく塑性機能電子デバイスの創製
基于点缺陷流动和凝结基本过程的阐明,创建塑料功能电子器件
  • 批准号:
    23K26380
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
波動性の顕在化による電子デバイスの超越動作
通过波动性质的表现来实现电子设备的超越操作
  • 批准号:
    24H00031
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
電子デバイス応用に向けた絶縁体/酸化ガリウム界面欠陥の定量と制御
电子设备应用中绝缘体/氧化镓界面缺陷的量化和控制
  • 批准号:
    24K17308
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御
集成光学和声学声子控制为光学和电子设备设计概念带来创新
  • 批准号:
    24K01360
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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