Research on the co-doping effects of 4-6 group cations on scintillation properties in various Ce doped single crystal scintillators and their performance improvement mechanism
Research on the co-doping effects of 4-6 group cations on scintillation properties in various Ce doped single crystal scintillators and their performance improvement mechanism
4-6族阳离子共掺杂对各类Ce掺杂单晶闪烁体闪烁性能的影响及其性能提升机制研究
批准号：
19K12626
负责人：
KIM Kyoung Jin
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Shielded Arc Melting法を用いた結晶育成
使用屏蔽电弧熔化法进行晶体生长
使用屏蔽电弧熔化法进行晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[矢島 隆雅, 鎌田 圭, 石川 志緒利, 瀧澤 優威, Kyoung Jin Kim, 吉野 将生, 山路 晃広, 黒澤 俊介, 横田 有為, 佐藤 浩樹, 豊田 智史, 大橋 雄二, 花田 貴, Vladimir Kochurikhin, 吉川 彰]
通讯作者：
吉川 彰
Development of calcium iodide (CaI2) scintillator for the study of double beta decay of 48Ca
开发用于研究 48Ca 双 β 衰变的碘化钙 (CaI2) 闪烁体
开发用于研究 48Ca 双 β 衰变的碘化钙 (CaI2) 闪烁体
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takashi Iida, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Akira Yoshikawa]
通讯作者：
Akira Yoshikawa
Effects of 4-6 group ions co-doping on luminescence and scintillation properties in Ce doped Gd3(Ga,Al)5O12 single crystals
4-6族离子共掺杂对Ce掺杂Gd3(Ga,Al)5O12单晶发光和闪烁性能的影响
4-6族离子共掺杂对Ce掺杂Gd3(Ga,Al)5O12单晶发光和闪烁性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mutsumi Ueno, Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Takahiro Nihei, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Yuji Ohashi, Akira Yoshikawa]
通讯作者：
Akira Yoshikawa
Tungsten co-doping effects on Ce:Gd3Ga3Al2O12 scintillator grown by the micro-pulling down method
钨共掺杂对微下拉法生长Ce:Gd3Ga3Al2O12闪烁体的影响
钨共掺杂对微下拉法生长Ce:Gd3Ga3Al2O12闪烁体的影响
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125513
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Ueno Mutsumi, Kim Kyoung Jin, Kamada Kei, Nihei Takayuki, Yoshino Masao, Yamaji Akihiro, Toyoda Satoshi, Sato Hiroki, Yokota Yuui, Kurosawa Shunsuke, Ohashi Yuji, Nikl Martin, Kochurikhin Vladimir, Yoshikawa Akira]
通讯作者：
Yoshikawa Akira
Growth of Lu2O3 and HfO2 based high melting temperature single crystals by indirect heating method using arc plasma
电弧等离子体间接加热法生长Lu2O3和HfO2基高熔点单晶
电弧等离子体间接加热法生长Lu2O3和HfO2基高熔点单晶
DOI：
10.3390/cryst10070619
发表时间：
2020
期刊：
Crystals
影响因子：
2.7
作者：
[Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Rikito Murakami, Takahito Horiai, Shiori Ishikawa, Vladimir Kochurikhin, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Yasuhiro Shoji, Shunsuke Kurosawa, Satoshi Toyoda, Hiroki Sato, Yuui Yokota, Yuji Ohashi, Akira Yoshikawa]
通讯作者：
Akira Yoshikawa
共 39 条
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