Research on behavior of the recombination defect of minority carriers depending on the internal built in potential in PN junctions
Research on behavior of the recombination defect of minority carriers depending on the internal built in potential in PN junctions
PN结内建电位影响少数载流子复合缺陷行为的研究
批准号：
18K04225
负责人：
Samesima Toshiyuki
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures
液态水中热处理晶体硅表面钝化及其在改善金属-氧化物-半导体结构界面性能中的应用
液态水中热处理晶体硅表面钝化及其在改善金属-氧化物-半导体结构界面性能中的应用
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno, T. Miyazaki, T. Uehara, Toshiyuki Sameshima, Toshiyuki Sameshima, Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima]
通讯作者：
Toshiyuki Sameshima
MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE
使用碳加热管的微波快速加热系统
使用碳加热管的微波快速加热系统
DOI：
10.4995/ampere2019.2019.9756
发表时间：
2019
期刊：
AMPERE
影响因子：
--
作者：
[T. Sameshima, T. Kikuchi, T. Uehara, T. Arima, M. Hasumi, T. Miyazaki, G. Kobayashi, and I. Serizawa]
通讯作者：
and I. Serizawa
Carbon Heating Tube Rapid Heating System for Fabricating Silicon Solar Cells
用于制造硅太阳能电池的碳加热管快速加热系统
用于制造硅太阳能电池的碳加热管快速加热系统
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno, T. Miyazaki]
通讯作者：
T. Miyazaki
PHOTO-INDUCED MINORITY CARRIER ANNIHILATION FOR SILICON SAMPLES WITH METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE
金属绝缘体半导体结构硅样品的光致少数载流子湮灭
金属绝缘体半导体结构硅样品的光致少数载流子湮灭
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno, T. Miyazaki, T. Uehara, Toshiyuki Sameshima, Toshiyuki Sameshima]
通讯作者：
Toshiyuki Sameshima
935 GHz マイクロ波透過測定を用いたシリコンの電気特性評価
使用 935 GHz 微波传输测量评估硅的电性能
使用 935 GHz 微波传输测量评估硅的电性能
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[蓮見 真彦, 鮫島 俊之, 水野 智久]
通讯作者：
水野 智久
共 11 条
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