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Research on behavior of the recombination defect of minority carriers depending on the internal built in potential in PN junctions
PN结内建电位影响少数载流子复合缺陷行为的研究
基本信息
- 批准号：18K04225
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures
液态水中热处理晶体硅表面钝化及其在改善金属-氧化物-半导体结构界面性能中的应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sameshima;M. Hasumi;T. Mizuno;T. Miyazaki;T. Uehara;Toshiyuki Sameshima;Toshiyuki Sameshima;Masahiko Hasumi;Toshiyuki Sameshima
- 通讯作者：Toshiyuki Sameshima
MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE
使用碳加热管的微波快速加热系统
- DOI：10.4995/ampere2019.2019.9756
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sameshima;T. Kikuchi;T. Uehara;T. Arima;M. Hasumi;T. Miyazaki;G. Kobayashi;and I. Serizawa
- 通讯作者：and I. Serizawa
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用于制造硅太阳能电池的碳加热管快速加热系统
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sameshima;M. Hasumi;T. Mizuno;T. Miyazaki
- 通讯作者：T. Miyazaki
PHOTO-INDUCED MINORITY CARRIER ANNIHILATION FOR SILICON SAMPLES WITH METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE
金属绝缘体半导体结构硅样品的光致少数载流子湮灭
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sameshima;M. Hasumi;T. Mizuno;T. Miyazaki;T. Uehara;Toshiyuki Sameshima;Toshiyuki Sameshima
- 通讯作者：Toshiyuki Sameshima
935 GHz マイクロ波透過測定を用いたシリコンの電気特性評価
使用 935 GHz 微波传输测量评估硅的电性能
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：蓮見 真彦;鮫島 俊之;水野 智久
- 通讯作者：水野 智久
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