PHOTO-INDUCED MINORITY CARRIER ANNIHILATION FOR SILICON SAMPLES WITH METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE
PHOTO-INDUCED MINORITY CARRIER ANNIHILATION FOR SILICON SAMPLES WITH METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE
复制标题
金属绝缘体半导体结构硅样品的光致少数载流子湮灭
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Toshiyuki Sameshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Sameshima;M. Hasumi;T. Mizuno;T. Miyazaki;T. Uehara;Toshiyuki Sameshima;Toshiyuki Sameshima
登录
查看更多内容
极低温下硅表面钝化的 NH3 等离子体界面改性
DOI：
10.1143/jjap.47.5320
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
Yu Takahashi;Jin Nigo;A. Ogane;Y. Uraoka;T. Fuyuki
通讯作者：
T. Fuyuki
使用高压 H2O 蒸汽加热钝化 SiO2/Si 界面
影响因子：
1.5
作者：
K. Sakamoto;T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima
影响因子：
1.3
作者：
Bohndiek, Sarah E.;Arvanitis, Costas D.;O'Shea, Val
通讯作者：
O'Shea, Val
影响因子：
3.2
作者：
BOULOU, M;BOIS, D
通讯作者：
BOIS, D
干氧化 p 型硅片中激光脉冲注入少数载流子有效寿命的分析估算
DOI：
10.1143/jjap.43.l1394
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Munakata
通讯作者：
C. Munakata