Fabrication and quantum optical characteristics of Eu doped GaN nanocolumn for quantum information device
Fabrication and quantum optical characteristics of Eu doped GaN nanocolumn for quantum information device
量子信息器件用Eu掺杂GaN纳米柱的制备及量子光学特性
批准号：
18K04233
负责人：
Sekiguchi Hiroto
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂
RF-MBE 法研究 Eu 掺杂 GaN 薄膜和自组装纳米柱的塞曼分裂
RF-MBE 法研究 Eu 掺杂 GaN 薄膜和自组装纳米柱的塞曼分裂
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[奥野 智大, 小野田 稜太, 関口 寛人, 若原 昭浩, 中岡 俊裕]
通讯作者：
中岡 俊裕
Possibility of Single Optical Site of Eu and Mg Codoped GaN
Eu 和 Mg 共掺杂 GaN 单光学位点的可能性
Eu 和 Mg 共掺杂 GaN 单光学位点的可能性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hiroto Sekiguchi, Masaru Sakai and Akihiro Wakahara]
通讯作者：
Masaru Sakai and Akihiro Wakahara
Effect of column diameter and height on optical properties of regularly arranged GaN nanocolumn grown by rf-MBE
柱直径和高度对 rf-MBE 生长的规则排列 GaN 纳米柱光学性能的影响
柱直径和高度对 rf-MBE 生长的规则排列 GaN 纳米柱光学性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Sekiguchi, Y. Higashi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, K. Kishino]
通讯作者：
K. Kishino
Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy
NH3源分子束外延生长Eu、Mg共掺GaN单光学位点的观察
NH3源分子束外延生长Eu、Mg共掺GaN单光学位点的观察
DOI：
10.1063/1.5090893
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, K. Yamane, H. Okada, and A. Wakahara]
通讯作者：
and A. Wakahara
Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diodes exhibiting high emission-wavelength stability
具有高发射波长稳定性的 Eu 掺杂 GaN 纳米柱发光二极管
具有高发射波长稳定性的 Eu 掺杂 GaN 纳米柱发光二极管
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Sekiguchi, R. Matsuzaki, A. Sukegawa, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara]
通讯作者：
and A. Wakahara
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