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界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率
基本信息
- 批准号：24K00934
- 负责人：
- 金额：$ 9.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
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