通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率-猫眼课题宝

通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率

批准号：

24K00934

负责人：

赤澤正道

金额：

$9.4万

依托单位：

Hokkaido University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

财政年份：

2024

资助国家：

日本

项目状态：

未结题

起止时间：

2024-04-01 至 2027-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24K00934/

关键词：

中文摘要

翻译

点击翻译按钮获取中文摘要

英文摘要

期刊论文(0)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

可逆計算デバイスの実現に関する基礎的研究

批准号：

13750294
项目类别：

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
资助金额：

$1.41万
财政年份：

2001
负责人：

赤澤正道
依托单位：

Hokkaido University

ボルテックスを利用した機能回路の開拓

批准号：

11129201
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
资助金额：

$0.96万
财政年份：

1999
负责人：

赤澤正道
依托单位：

Hokkaido University

超高密度多値メモリ集積回路の実現に関する基礎的研究

批准号：

08750387
项目类别：

Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
资助金额：

$0.7万
财政年份：

1996
负责人：

赤澤正道
依托单位：

Hokkaido University

InGaAs2次元電子ガスMISFETの試作

批准号：

06750299
项目类别：

Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
资助金额：

$0.77万
财政年份：

1994
负责人：

赤澤正道
依托单位：

Hokkaido University