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窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究

窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究
氮化镓MOS器件载流子散射机制研究
批准号：
23K13367
负责人：
小林 拓真
金额：
$3.0万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K13367/
关键词：
GaNMOSFET界面欠陥移動度キャリア散乱

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高性能ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴの実現に向けた界面物性及びキャリア散乱機構の基礎研究
  • 批准号：
    15J04823
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.79万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    小林 拓真
  • 依托单位：
    Kyoto University
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海外基金
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号：
    2026JJ60454
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    桂庆忠
  • 依托单位：
    湖南大学
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    于安宁
  • 依托单位：
    重庆科技大学
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
  • 批准号：
    2024JJ5044
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    吴丽娟
  • 依托单位：
    长沙理工大学