窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究

氮化镓MOS器件载流子散射机制研究

基本信息

  • 批准号：
    23K13367
  • 负责人：
    小林 拓真
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Osaka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2023
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2023-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 通讯作者：
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