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Characterization of active layer of reverse osmosis membrane by electrochemical impedance spectroscopy in quasi-filtration conditions

Characterization of active layer of reverse osmosis membrane by electrochemical impedance spectroscopy in quasi-filtration conditions
准过滤条件下电化学阻抗谱表征反渗透膜活性层
批准号：
18K04809
负责人：
Tanaka Atsushi
金额：
$2.66万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04809/
关键词：
逆浸透膜活性層電気化学インピーダンス法イオン伝導Maxwell-Wagner Model透水状態膜劣化インピーダンススぺくトロスコピーイオン流束膜抵抗インピーダンススペクトロスコピー誘電緩和非平衡状態透水能電解液分離膜膜構造イオン伝導率濃度分極インピーダンス測定イオン分離機能オペランド測定イオン拡散

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KCl電解液を用いた誘電緩和現象測定による逆浸透膜中のイオン挙動解析
通过使用 KCl 电解质测量介电弛豫现象来分析反渗透膜中的离子行为
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [田中厚志, 巽　広輔, 木村　睦]
通讯作者： 木村　睦
フィルタ膜のインピーダンス測定方法および装置
过滤膜阻抗测量方法及装置
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
インピーダンス測定による逆浸透膜活性層の誘電緩和現象のイオン種依存
通过阻抗测量研究反渗透膜活性层介电弛豫现象的离子种类依赖性
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [田中厚志, 木村　睦, 巽　広輔]
通讯作者： 巽　広輔
フィルタ膜の透水性評価方法および装置
滤膜透水性评价方法及装置
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 9 条
    Direct observation of electric field distribution in GaN power devices
    • 批准号：
      20K04578
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Tanaka Atsushi
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Characterization of diffuse-type gastric cancer with CLDN18 fusion and drug discovery for it
    • 批准号：
      17K15636
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Tanaka Atsushi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Molecular basis of Treg-specific TCR signaling regulation
    • 批准号：
      17K15723
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Tanaka Atsushi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Study about the influence of dislocation on devices for practical application of GaN power devices
    • 批准号：
      17K17808
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Tanaka Atsushi
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金