IIIV族活性層のバンド端近傍における複素屈折率変化の高精度測定法の研究

IIIV族活性层带边附近复折射率变化高精度测量方法研究

基本信息

  • 批准号:
    08750347
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.IIIVダブルヘテロ構造サンプルの作製MBE装置で,InGaAsInGaAlAsからなるダブルヘテロ構造サンプルの作製を行なった。活性層は,最近レーザや光増幅器などで利用度の高い歪み格子多重量子井戸構造(MQW)とした。周期は主に100周期とし,吸収端波長を1.55μm帯とした。2.キャリヤ注入方式の検討MQWの各井戸にキャリヤをより均等に注入するには光励起が有効であり,本研究でも光励起方式を採用した。これによって,サンプルにp,n層を形成するプロセスを省略でき,多周期MQWの再現性を向上させることができた。3.ゲインの評価まず,ゲインの評価を行なった。シングルパスの構造では最大で3.1dBのゲインが得られ,光増幅器としての応用が可能となった。MQW活性層をInGaAlAs/InAlAsの多層膜からなるDBRミラーではさむことによりさらに高いゲインを得ることができる。本研究では,ミラー付きのサンプルを歪み緩和を起こさずに実際に作製できることを確認した。4.複素屈折率の高精度測定法の確立2つの方解石板を使って空間的に構成したマイクロブリッジにおいて,ダブルヘテロ構造を持つサンプルの膜面に垂直な方向に光を通す方式で屈折率変化量を高精度に測定するシステムを構成した。この方式では,これまで測定が困難であった,バンド間吸収の大きい波長帯においても複素屈折率変化を高精度に測定が可能である。
1. IIIV. InGaAsAlAs for manufacturing MBE devices for semiconductor devices The active layer is the closest to the optical amplifier and the highest utilization of the lattice multiple quantum well structure (MQW). The main period is 100. The absorption wavelength is 1.55μm. 2. Study on the injection mode of MQW. The reproducibility of multi-period MQW is improved by the formation of p,n layers. 3. The structure of the optical amplifier has a maximum of 3.1 dB. MQW active layer InGaAlAs/InAlAs multilayer film This study confirms the importance of mitigation in the field of environmental protection. 4. The method for determining refractive index of complex elements with high precision is established by using calcite plate to make spatial composition, optical structure and optical transmission mode of film surface of complex elements. This method is difficult to measure, and it is possible to measure the wavelength of the absorption medium with high precision.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.T.Jeong: "Analysis and Assessment of gain of optically pumped surface-normal optical amplifiens" Optics Communications. 135. 227-232 (1997)
K.T.Jeong:“光泵浦表面法线光学放大器增益的分析和评估”光学通信。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.G.Lee: "Low loss laminated polarization splitters for the wave length longer than 1.3μm prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition" Thin Solid Films. (1996)
Y.G.Lee:“通过等离子体增强化学气相沉积制备的波长大于 1.3μm 的低损耗层压偏振分光器”薄固体薄膜(1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Yoda: "Analysis of polarization-insensitive tunable optical filter using liquid crystal -connection formula and apparent paradox-" Optical and Quantum Electronics. (1996)
H.Yoda:“使用液晶分析偏振不敏感的可调谐光学滤波器-连接公式和明显悖论-”光学和量子电子学。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Shiraishi: "Integration of in-line optical isolators" IEEE Transactoins on Magnetics. 32・5. 4108-4112 (1996)
K. Shiraishi:“在线光学隔离器的集成”IEEE Transactins on Magnetics 32・5 (1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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