Study about the influence of dislocation on devices for practical application of GaN power devices
位错对器件的影响研究以供GaN功率器件实际应用
基本信息
- 批准号:17K17808
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Characterizations of high-temperature Mg ion implantation in GaN
GaN高温Mg离子注入的表征
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Takahashi;K. Sone;A. Tanaka;S. Usami;M. Deki;M. Kushimoto;K. Nagamatsu;S. Nitta;Y. Honda;and H. Amano,
- 通讯作者:and H. Amano,
Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown
- DOI:10.7567/1882-0786/aafdb9
- 发表时间:2019-02-01
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Fukushima, Hayata;Usami, Shigeyoshi;Amano, Hiroshi
- 通讯作者:Amano, Hiroshi
Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods
使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 P-N 二极管漏电的根源
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shigeyoshi Usami;Yoshihiro Sugawara;Yong-Zhao Yao;Yukari Ishikawa;Norihito Mayama;Kazuya Toda;Yuto Ando;Atsushi Tanaka;Kentaro Nagamatsu;Manato Deki;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
- 通讯作者:Hiroshi Amano
Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes
- DOI:10.1063/1.4994627
- 发表时间:2017-09
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:L. Sang;B. Ren;M. Sumiya;M. Liao;Y. Koide;A. Tanaka;Yujin Cho;Y. Harada;T. Nabatame;T. Sekiguchi;S. Usami;Y. Honda;H. Amano
- 通讯作者:L. Sang;B. Ren;M. Sumiya;M. Liao;Y. Koide;A. Tanaka;Yujin Cho;Y. Harada;T. Nabatame;T. Sekiguchi;S. Usami;Y. Honda;H. Amano
GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法
位错缺陷是 GaN 器件的杀手锏以及如何减少它们
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:田中敦之;宇佐美茂佳;福島颯太;安藤悠人;久志本真希;出来真斗, 新田州吾;本田善央;天野浩
- 通讯作者:天野浩
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Tanaka Atsushi其他文献
特集 黄斑円孔の最新レビュー 黄斑円孔手術におけるinverted ILM flap techniqueの評価
专题 黄斑裂孔最新综述 倒置ILM皮瓣技术在黄斑裂孔手术中的评价
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tanaka Atsushi;Saito Wataru;Kase Satoru;Ishijima Kan;Noda Kousuke;Ishida Susumu;加瀬 諭;加瀬 諭;加瀬 諭 - 通讯作者:
加瀬 諭
Conference on the New Trend in Precision Medicine
精准医疗新趋势会议
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tanaka Atsushi;Kunimoto Hiroyoshi et al.;Motoko Yanagita - 通讯作者:
Motoko Yanagita
NMO spectrum disorders: from diagnosis to treatment.
NMO 谱系疾病:从诊断到治疗。
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tanaka Atsushi;Shimabukuro Michio;Machii Noritaka;Teragawa Hiroki;Okada Yosuke;Shima Kosuke R.;Takamura Toshinari;Taguchi Isao;Hisauchi Itaru;Toyoda Shigeru;Matsuzawa Yasushi;Tomiyama Hirofumi;Yamaoka‐Tojo Minako;Ueda Shinichiro;Higashi Yukihito;Node Koic;山田正仁;Fujihara K - 通讯作者:
Fujihara K
Predictive impact of concomitant left ventricular diastolic dysfunction on clinical outcomes following transcatheter aortic valve replacement
经导管主动脉瓣置换术后伴随左心室舒张功能障碍对临床结果的预测影响
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Fukuda Daiju;Nishimoto Sachiko;Aini Kunduziayi;Tanaka Atsushi;Nishiguchi Tsuyoshi et al.;Miyazaki T;Akasaka T;Hideaki Kanzaki - 通讯作者:
Hideaki Kanzaki
Computational study of oxygen stability in vicinal m(10-10)-GaN growth by MOVPE
MOVPE 邻位 m(10-10)-GaN 生长中氧稳定性的计算研究
- DOI:
10.35848/1882-0786/ab8723 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Shintaku Fumiya;Yosho Daichi;Kangawa Yoshihiro;Iwata Jun-Ichi;Oshiyama Atsushi;Shiraishi Kenji;Tanaka Atsushi;Amano Hiroshi - 通讯作者:
Amano Hiroshi
Tanaka Atsushi的其他文献
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Direct observation of electric field distribution in GaN power devices
直接观察GaN功率器件中的电场分布
- 批准号:
20K04578 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Characterization of active layer of reverse osmosis membrane by electrochemical impedance spectroscopy in quasi-filtration conditions
准过滤条件下电化学阻抗谱表征反渗透膜活性层
- 批准号:
18K04809 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Characterization of diffuse-type gastric cancer with CLDN18 fusion and drug discovery for it
CLDN18融合的弥漫型胃癌的特征及其药物发现
- 批准号:
17K15636 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Molecular basis of Treg-specific TCR signaling regulation
Treg特异性TCR信号传导调节的分子基础
- 批准号:
17K15723 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Investigation of mitochondrial-derived vesicles in neurodegenerative disease
神经退行性疾病中线粒体衍生囊泡的研究
- 批准号:
16K19047 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Determination of cellular factors involved in chikungunya virus infection
基孔肯雅病毒感染相关细胞因子的测定
- 批准号:
16K09934 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidating the mechanism of autoimmune induction by self-reactive T and regulatory T cells
阐明自身反应性 T 细胞和调节性 T 细胞诱导自身免疫的机制
- 批准号:
26860331 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Determination of cellular factors involved in chikungunya virus infection
基孔肯雅病毒感染相关细胞因子的测定
- 批准号:
25461510 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Association between intraplaque macrophage level and plaque rupture
斑块内巨噬细胞水平与斑块破裂之间的关联
- 批准号:
24591068 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
ナトリウムフラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長界面による低転位化
使用钠熔剂法降低氮化镓晶体生长界面的位错
- 批准号:
24KJ1636 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率
- 批准号:
24K00934 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光電気化学反応を利用した環境調和性に優れた高能率窒化ガリウム表面研磨技術の実現
利用光电化学反应实现高效环保的氮化镓表面抛光技术
- 批准号:
24KJ1642 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
絶縁ゲート界面とその電子輸送特性制御に基づく窒化ガリウム系トランジスタの高安定化
基于绝缘栅界面及其电子传输特性控制的氮化镓晶体管高稳定性
- 批准号:
23KJ0042 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウムを用いた相補型MOSの作製プロセスに関する研究
氮化镓互补MOS制造工艺研究
- 批准号:
23KJ1098 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウム中の真性点欠陥が形成する準位およびアニール挙動の統一的モデル確立
氮化镓本征点缺陷形成能级统一模型及退火行为的建立
- 批准号:
23KJ1107 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナトリウムフラックス法を用いた高品質窒化ガリウム結晶の高速成長
采用钠助熔剂法高速生长高质量氮化镓晶体
- 批准号:
22KJ2126 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
- 批准号:
22KJ1532 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究
氮化镓MOS器件载流子散射机制研究
- 批准号:
23K13367 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
耐放射線窒化ガリウム電子デバイス実現に向けた放射線誘起欠陥と素子特性劣化の解明
阐明辐射引起的缺陷和器件特性恶化,以实现抗辐射氮化镓电子器件
- 批准号:
22KJ1583 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows