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Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process

Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process
高品质块体GaN气相外延生长条件及其晶体生长工艺研究
批准号:
18K04957
负责人:
Kawamura Takahiro
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2021-03-31

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キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析
具有扭结和阶梯结构的 GaN 极性表面上 O 杂质的解吸能分析
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [河村貴宏, 竹田浩基, 北本啓, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕, 柿本浩一]
通讯作者: 柿本浩一
First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface
扭结GaN(0001)表面氧吸附的第一性原理分析
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto]
通讯作者: and Koichi Kakimoto
第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究
利用第一性原理计算研究GaN晶体生长
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 河村貴宏
DOI: 10.7567/jjap.57.115504
发表时间: 2018-10
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama]
通讯作者: T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama
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    Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal
    • 批准号:
      15K17459
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $2.75万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Kawamura Takahiro
    • 依托单位:
    海外基金