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Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process

高品质块体GaN气相外延生长条件及其晶体生长工艺研究

基本信息

批准号：
18K04957
负责人：
Kawamura Takahiro
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04957/
关键词：
窒化ガリウム第一原理計算不純物 OVPE成長結晶成長

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析

具有扭结和阶梯结构的 GaN 极性表面上 O 杂质的解吸能分析

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
河村貴宏;竹田浩基;北本啓;今西正幸;吉村政志;森勇介;森川良忠;寒川義裕;柿本浩一
通讯作者：
柿本浩一

First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface

扭结GaN(0001)表面氧吸附的第一性原理分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroki Takeda;Takahiro Kawamura; Akira Kitamoto;Masayuki Imanishi;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori;Yoshitada Morikawa;Yoshihiro Kangawa;and Koichi Kakimoto
通讯作者：
and Koichi Kakimoto

第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究

利用第一性原理计算研究GaN晶体生长

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kitamura Miho;Kobayashi Masaki;Sakai Enju;Minohara Makoto;Yukawa Ryu;Shiga Daisuke;Amemiya Kenta;Nonaka Yosuke;Shibata Goro;Fujimori Atsushi;Fujioka Hiroshi;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;太田茉莉香，田中一郎，宇野和行;河村貴宏
通讯作者：
河村貴宏

First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth

DOI：
10.7567/jjap.57.115504
发表时间：
2018-10
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama
通讯作者：
T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama

酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性

考虑氧杂质的 GaN 表面能的平面取向依赖性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
安居院あかね,　柴山茜;拝詞健人;原子秋乃;櫻井浩;辻成希;馬闖;劉小晰;河村貴宏，北本啓，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今西正幸，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一

DOI：
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作者：
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2019
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通讯作者：
Takagi Toshihisa

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发表时间：
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通讯作者：
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通讯作者：
江上周作，渡邊勝太郎，川村隆浩

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2023
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影响因子：
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通讯作者：
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发表时间：
2023
期刊：
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4.7
作者：
Kobayashi Atsushi;Kihira Shunya;Akiyama Toru;Kawamura Takahiro;Maeda Takuya;Ueno Kohei;Fujioka Hiroshi
通讯作者：
Fujioka Hiroshi