Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process

高品质块体GaN气相外延生长条件及其晶体生长工艺研究

基本信息

  • 批准号:
    18K04957
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析
具有扭结和阶梯结构的 GaN 极性表面上 O 杂质的解吸能分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河村貴宏;竹田浩基;北本啓;今西正幸;吉村政志;森勇介;森川良忠;寒川義裕;柿本浩一
  • 通讯作者:
    柿本浩一
First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface
扭结GaN(0001)表面氧吸附的第一性原理分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroki Takeda;Takahiro Kawamura; Akira Kitamoto;Masayuki Imanishi;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori;Yoshitada Morikawa;Yoshihiro Kangawa;and Koichi Kakimoto
  • 通讯作者:
    and Koichi Kakimoto
第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究
利用第一性原理计算研究GaN晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kitamura Miho;Kobayashi Masaki;Sakai Enju;Minohara Makoto;Yukawa Ryu;Shiga Daisuke;Amemiya Kenta;Nonaka Yosuke;Shibata Goro;Fujimori Atsushi;Fujioka Hiroshi;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;太田茉莉香,田中一郎,宇野和行;河村貴宏
  • 通讯作者:
    河村貴宏
First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.115504
  • 发表时间:
    2018-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama
  • 通讯作者:
    T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;K. Kakimoto;T. Akiyama
酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性
考虑氧杂质的 GaN 表面能的平面取向依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安居院あかね,  柴山茜;拝詞 健人;原子 秋乃;櫻井 浩;辻 成希;馬 闖;劉 小晰;河村貴宏,北本啓,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
  • 通讯作者:
    河村貴宏,北本啓,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
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Kawamura Takahiro其他文献

Interconnection of Biological Knowledge Using NikkajiRDF and Interlinking Ontology for Biological Concepts
使用 NikkajiRDF 和生物概念互连本体实现生物知识的互连
  • DOI:
    10.1007/s00354-019-00074-y
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
    Kushida Tatsuya;Kozaki Kouji;Kawamura Takahiro;Tateisi Yuka;Yamamoto Yasunori;Takagi Toshihisa
  • 通讯作者:
    Takagi Toshihisa
近年のセマンティックWeb分野の動向 - Linked Dataとナレッジグラフを中心に -
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawamura Takahiro;Watanabe Katsutaro;Matsumoto Naoya;Egami Shusaku;Jibu Mari;江上周作
  • 通讯作者:
    江上周作
Mapping Science ― ナレッジグラフに基づく科学技術マップの高度検索と対話的操作の実現
制图科学——基于知识图谱的科技地图高级搜索与交互操作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawamura Takahiro;Watanabe Katsutaro;Matsumoto Naoya;Egami Shusaku;Jibu Mari;江上周作;江上周作,渡邊勝太郎,川村隆浩
  • 通讯作者:
    江上周作,渡邊勝太郎,川村隆浩
Role of charged oxygen vacancies and substrate lattice constraint on structural stability of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> polymorphs
带电氧空位和基底晶格约束对Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>多晶型物结构稳定性的作用
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/acb12e
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Akiyama Toru;Kawamura Takahiro;Ito Tomonori
  • 通讯作者:
    Ito Tomonori
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN
反演对称性破缺AlN和中心对称NbN的外延结:宽带隙AlN的极性控制
  • DOI:
    10.1021/acsaelm.2c01288
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.7
  • 作者:
    Kobayashi Atsushi;Kihira Shunya;Akiyama Toru;Kawamura Takahiro;Maeda Takuya;Ueno Kohei;Fujioka Hiroshi
  • 通讯作者:
    Fujioka Hiroshi

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 作者:
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Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal
阐明晶体生长机制以开发大块GaN单晶
  • 批准号:
    15K17459
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似国自然基金

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  • 批准号:
    11905126
  • 批准年份:
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  • 项目类别:
    青年科学基金项目

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    23K26564
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
大規模第一原理計算によるGaN中格子欠陥、不純物の複合構造モデリング
使用大规模第一性原理计算对 GaN 介质晶格缺陷和杂质进行复合结构建模
  • 批准号:
    23H01871
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Critical phenomena of metal-insulator transition in disordered impurity systems: Effects of spin and compensation
无序杂质系统中金属-绝缘体转变的关键现象:自旋和补偿的影响
  • 批准号:
    22K03449
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超高圧高温下における不純物含有固体金属の第一原理研究
超高压高温含杂质固体金属第一性原理研究
  • 批准号:
    21K03698
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Theoretical study of impurity-doped Mg2Si thermoelectric materials using first-principles calculations and machine learning technique
利用第一性原理计算和机器学习技术进行杂质掺杂Mg2Si热电材料的理论研究
  • 批准号:
    20K05681
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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