Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal

阐明晶体生长机制以开发大块GaN单晶

基本信息

批准号：
15K17459
负责人：
Kawamura Takahiro
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa2Oの吸着に関する研究

利用第一性原理计算研究Ga2O在GaN(0001)表面的吸附

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masaharu Yoshiba;Chun-Yi Chen;Tso-Fu Mark Chang;Takashi Nagoshi;Daisuke Yamane;Katsuyuki Machida;Kazuya Masu;Masato Sone;河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠

第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析

使用第一性原理计算分析 OVPE 生长条件下的 GaN(000-1) 表面结构

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
山根大輔;小西敏文;佐布晃昭;伊藤浩之;曽根正人;年吉洋;益一哉;町田克之;河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一

GaN(0001)および(000-1)表面へのGa2O分子の吸着に関する第一原理計算

Ga2O分子在GaN(0001)和(000-1)表面吸附的第一性原理计算

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
磯崎瑛宏;菅哲朗;高橋英俊;松本潔;下山勲;河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠

First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions

氧化物气相外延生长条件下GaN(0001)和(000-1)表面相图的第一性原理研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Kawamura;Akira Kitamoto;Mamoru Imade;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori;Yoshitada Morikawa;Yoshihiro Kangawa;Koichi Kakimoto
通讯作者：
Koichi Kakimoto

First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions

OVPE 生长条件下非极性 GaN 表面的第一性原理研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Kawamura;Akira Kitamoto;Mamoru Imade;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori;Yoshitada Morikawa;Yoshihiro Kangawa; Koichi Kakimoto
通讯作者：
Koichi Kakimoto

DOI：
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通讯作者：
Takagi Toshihisa

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4.7
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通讯作者：
Fujioka Hiroshi