Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal
Clarification of crystal growth mechanism for development of large bulk GaN single crystal
阐明晶体生长机制以开发大块GaN单晶
批准号：
15K17459
负责人：
Kawamura Takahiro
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析
使用第一性原理计算分析 OVPE 生长条件下的 GaN(000-1) 表面结构
使用第一性原理计算分析 OVPE 生长条件下的 GaN(000-1) 表面结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山根 大輔, 小西 敏文, 佐布 晃昭, 伊藤 浩之, 曽根 正人, 年吉 洋, 益 一哉, 町田 克之, 河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一]
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠，寒川義裕，柿本浩一
第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa2Oの吸着に関する研究
利用第一性原理计算研究Ga2O在GaN(0001)表面的吸附
利用第一性原理计算研究Ga2O在GaN(0001)表面的吸附
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masaharu Yoshiba, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone, 河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠]
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions
OVPE 生长条件下非极性 GaN 表面的第一性原理研究
OVPE 生长条件下非极性 GaN 表面的第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto]
通讯作者：
Koichi Kakimoto
First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions
氧化物气相外延生长条件下GaN(0001)和(000-1)表面相图的第一性原理研究
氧化物气相外延生长条件下GaN(0001)和(000-1)表面相图的第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto]
通讯作者：
Koichi Kakimoto
GaN(0001)および(000-1)表面へのGa2O分子の吸着に関する第一原理計算
Ga2O分子在GaN(0001)和(000-1)表面吸附的第一性原理计算
Ga2O分子在GaN(0001)和(000-1)表面吸附的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[磯崎 瑛宏, 菅 哲朗, 高橋 英俊, 松本 潔, 下山 勲, 河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠]
通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
共 18 条
Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process
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批准号：18K04957
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：Kawamura Takahiro
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依托单位：
海外基金