Control of band-edge energies and conductivity in wide bandgap sulfide semiconductors
Control of band-edge energies and conductivity in wide bandgap sulfide semiconductors
宽带隙硫化物半导体的带边能量和电导率的控制
批准号：
18K04959
负责人：
Ichino Kunio
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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会议论文
分子線エピタキシー法によるZnMgSTeの作製と評価
分子束外延法制备ZnMgSTe并评价
分子束外延法制备ZnMgSTe并评价
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
[宇野和行, 松本一寿, 田中一郎, Yoshiyuki Egami and Masahiro Kudo, Sato Masahide, 中島達也，湯本匠，佐橋響真，冨田裕介，赤岩和明，阿部友紀，市野邦男]
通讯作者：
中島達也，湯本匠，佐橋響真，冨田裕介，赤岩和明，阿部友紀，市野邦男
ワイドバンドギャップ半導体ZnMgSTeのp型伝導制御に関する研究
宽带隙半导体ZnMgSTe p型导通控制研究
宽带隙半导体ZnMgSTe p型导通控制研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yukawa R., Minohara M., Shiga D., Kitamura M., Mitsuhashi T., Kobayashi M., Horiba K., Kumigashira H., 湯本匠，中島達也，赤岩和明，阿部友紀，市野邦男]
通讯作者：
湯本匠，中島達也，赤岩和明，阿部友紀，市野邦男
p-type conductivity control in ZnMgSTe alloy semiconductors by adjusting the valence-band-edge energy
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批准号：26390053
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2014
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负责人：Ichino Kunio
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依托单位：
海外基金
