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p-type conductivity control in ZnMgSTe alloy semiconductors by adjusting the valence-band-edge energy

p-type conductivity control in ZnMgSTe alloy semiconductors by adjusting the valence-band-edge energy
通过调节价带边缘能量控制 ZnMgSTe 合金半导体的 p 型电导率
批准号：
26390053
负责人：
Ichino Kunio
金额：
$3.16万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26390053/
关键词：
ZnMgSTeZnSp-typevalence bandwide bandgapワイドバンドギャップ半導体p型ZnMgSTe混晶半導体

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分子線エピタキシー法によるGaP基板上へのZnMgSTeの作製と評価
分子束外延法在GaP衬底上制备ZnMgSTe并对其进行评价
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [佐橋 響真, 難波 直, 門田 匡弘, 長谷川 浩康, 中島 賢宏, 赤岩 和明, 阿部 友紀, 市野 邦男]
通讯作者： 市野 邦男
ZnSTe Lattice-matched to GaP Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy Using ZnS Buffer Layers
使用 ZnS 缓冲层通过分子束外延生长的 ZnSTe 晶格匹配 GaP 衬底
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Ichino, S. Kashiyama, N. Nanba, H. Hasegawa, and T. Abe]
通讯作者： and T. Abe
分子線エピタキシー法によるGaP基板上のZnSTe成長層の構造的評価
分子束外延法评估GaP衬底上ZnSTe生长层的结构
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Ichino, S. Kashiyama, N. Nanba, H. Hasegawa, and T. Abe, 樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男]
通讯作者： 樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男
ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers
使用 ZnS 缓冲层通过分子束外延在 GaP 衬底上相干生长 ZnSTe
DOI： 10.1002/pssb.201600009
发表时间： 2016
期刊： Phys. Status Solidi B
影响因子： --
作者： [Kunio Ichino, Shota Kashiyama, Nao Nanba, Hiroyasu Hasegawa, and Tomoki Abe]
通讯作者： and Tomoki Abe
共 7 条
    Control of band-edge energies and conductivity in wide bandgap sulfide semiconductors
    • 批准号：
      18K04959
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ichino Kunio
    • 依托单位：
      Tottori University
    国内基金
    海外基金
    基于自闪烁CdSe/ZnS 量子点探针的MINFLUX 动态成像及突触囊泡循环机制
    • 批准号：
      24ZR1454300
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      王晶
    • 依托单位：
      上海理工大学
    稀土/过渡金属掺杂六角相ZnS纳米晶可控合成、力致发光机理及传感应用研究
    • 批准号：
      12374371
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      53万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      王玉晓
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    基于捕收剂自组装效应的ZnS表面微纳结构与电化学性能调控基础研究
    • 批准号：
      52304286
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      张丽敏
    • 依托单位：
      湖南工商大学
    ZnS基光催化剂表面单原子构筑及析氢微观机理研究
    • 批准号：
      22368050
    • 项目类别：
      地区科学基金项目
    • 资助金额：
      32万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      肖斌
    • 依托单位：
      云南大学