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p-type conductivity control in ZnMgSTe alloy semiconductors by adjusting the valence-band-edge energy
通过调节价带边缘能量控制 ZnMgSTe 合金半导体的 p 型电导率
基本信息
- 批准号：26390053
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
分子線エピタキシー法によるGaP基板上へのZnMgSTeの作製と評価
分子束外延法在GaP衬底上制备ZnMgSTe并对其进行评价
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐橋 響真;難波 直;門田 匡弘;長谷川 浩康;中島 賢宏;赤岩 和明;阿部 友紀;市野 邦男
- 通讯作者：市野 邦男
ZnSTe Lattice-matched to GaP Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy Using ZnS Buffer Layers
使用 ZnS 缓冲层通过分子束外延生长的 ZnSTe 晶格匹配 GaP 衬底
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Ichino;S. Kashiyama;N. Nanba;H. Hasegawa;and T. Abe
- 通讯作者：and T. Abe
分子線エピタキシー法によるGaP基板上のZnSTe成長層の構造的評価
分子束外延法评估GaP衬底上ZnSTe生长层的结构
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Ichino;S. Kashiyama;N. Nanba;H. Hasegawa;and T. Abe;樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男
- 通讯作者：樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男
ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers
使用 ZnS 缓冲层通过分子束外延在 GaP 衬底上相干生长 ZnSTe
- DOI：10.1002/pssb.201600009
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kunio Ichino;Shota Kashiyama;Nao Nanba;Hiroyasu Hasegawa;and Tomoki Abe
- 通讯作者：and Tomoki Abe
分子線エピタキシー法によるN添加p-ZnSTeの作製と評価
分子束外延法制备 N 掺杂 p-ZnSTe 并对其进行评价
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長谷川 浩康;中島 達也;大田 勝也;赤岩 和明;阿部 友紀;市野 邦男
- 通讯作者：市野 邦男
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Akaiwa Kazuaki
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