Characterization of defect levels in UV-LEDs by below-gap excitation light under operating condition
Characterization of defect levels in UV-LEDs by below-gap excitation light under operating condition
在工作条件下通过间隙激发光表征 UV-LED 中的缺陷水平
批准号：
18K04954
负责人：
Kamata Norihiko
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Carrier Recombination Processes in GaAs- and GaN-Based Semiconductors and Optical Characterization of Defect Levels,
GaAs 和 GaN 基半导体中的载流子复合过程以及缺陷能级的光学表征，
GaAs 和 GaN 基半导体中的载流子复合过程以及缺陷能级的光学表征，
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渋田 昌弘，山元 一生，太田 努, 中嶋 敦, Norihiko Kamata]
通讯作者：
Norihiko Kamata
325nm Emission From Highly Transparent AlGaN UVA LEDs Grown on AlN Template in the LP-MOCVD
在 LP-MOCVD 中的 AlN 模板上生长的高透明 AlGaN UVA LED 的 325nm 发射
在 LP-MOCVD 中的 AlN 模板上生长的高透明 AlGaN UVA LED 的 325nm 发射
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Muhammad Ajmal Khan, Takuma Matsumoto, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama]
通讯作者：
and Hideki Hirayama
Detection of Nonradiative Recombination Levels in UV-LEDs by Irradiating Below-Gap Excitation Light
通过照射间隙激发光检测 UV-LED 中的非辐射复合水平
通过照射间隙激发光检测 UV-LED 中的非辐射复合水平
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Norihiko Kamata, Ken Matsuda, Sota Shirai, Zentaro Honda, and Hideki Hirayama]
通讯作者：
and Hideki Hirayama
固体の中の光と影 －光の科学と固体光源の可能性を拓く技術－
固体中的光与影 - 开启固态光源可能性的光科学和技术 -
固体中的光与影 - 开启固态光源可能性的光科学和技术 -
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[赤池 幸紀, 細貝 彩子, 永島 裕樹, 衛 慶碩, 細貝 拓也, Masahiro Shibuta, 鎌田憲彦]
通讯作者：
鎌田憲彦
高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響
成核条件对高温退火再生长AlN结晶度的影响
成核条件对高温退火再生长AlN结晶度的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[糸数 雄吏, 桑葉 俊輔, 定 昌史, 鎌田 憲彦, 平山 秀樹]
通讯作者：
平山 秀樹
共 24 条