Identification of Surface Carrier Recombination Rate in Wide-bandgap Semiconductors using Time-resolved Photoelectron Spectroscopy with Ultrafast Pulsed Laser
Identification of Surface Carrier Recombination Rate in Wide-bandgap Semiconductors using Time-resolved Photoelectron Spectroscopy with Ultrafast Pulsed Laser
使用超快脉冲激光时间分辨光电子能谱识别宽带隙半导体中的表面载流子复合率
批准号：
18K13791
负责人：
Shuhei Ichikawa
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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時間分解二光子光電子分光による InGaN/GaN量子井戸構造の非輻射再結合レートの評価
时间分辨双光子光电子能谱评估InGaN/GaN量子阱结构的非辐射复合率
时间分辨双光子光电子能谱评估InGaN/GaN量子阱结构的非辐射复合率
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川 修平, 藤原 康文, 保田 英洋]
通讯作者：
保田 英洋
二光子光電子分光法を利用したGaAs中の励起電子緩和過程の評価
使用双光子光电子能谱评估 GaAs 中的激发电子弛豫过程
使用双光子光电子能谱评估 GaAs 中的激发电子弛豫过程
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川 修平, 永野 司, 保田 英洋]
通讯作者：
保田 英洋
時間分解二光子光電子分光法を用いたGaAs(110)における表面再結合寿命の大気暴露時間依存性の評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 GaAs(110) 表面复合寿命的大气暴露时间依赖性
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 GaAs(110) 表面复合寿命的大气暴露时间依赖性
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川修平, 小島一信]
通讯作者：
小島一信
時間分解二光子光電子分光法によるInGaN/GaN量子井戸のキャリア寿命評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的载流子寿命
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的载流子寿命
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川 修平, 藤原 康文, 保田 英洋]
通讯作者：
保田 英洋
Enhanced Red Emission of Eu,O-Codoped GaN Embedded in a Photonic Crystal Nanocavity with Hexagonal Air Holes
嵌入具有六角形气孔的光子晶体纳米腔中的 Eu,O-共掺杂 GaN 的增强红光发射
嵌入具有六角形气孔的光子晶体纳米腔中的 Eu,O-共掺杂 GaN 的增强红光发射
DOI：
10.1103/physrevapplied.15.034086
发表时间：
2021
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
[Shuhei Ichikawa, Yutaka Sasaki, Takenori Iwaya, Masato Murakami, Masaaki Ashida, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara]
通讯作者：
Yasufumi Fujiwara
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